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    K6X4016C3F-TF55 参数 Datasheet PDF下载

    K6X4016C3F-TF55图片预览
    型号： K6X4016C3F-TF55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256Kx16位低功耗全CMOS静态RAM [256Kx16 bit Low Power full CMOS Static RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 133 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K6X4016C3F-TF55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K6X4016C3F-TF55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K6X4016C3F-TF55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K6X4016C3F-TF55的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K6X4016C3F-TF55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K6X4016C3F-TF55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K6X4016C3F-TF55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K6X4016C3F-TF55的Datasheet PDF文件第9页  
    K6X4016C3F家庭
    文档标题
    256Kx16位低功耗全CMOS静态RAM
    CMOS SRAM
    修订历史
    版本号
    0.0
    0.1
    历史
    最初的草案
    修订
    增加了商业产品。
    DELETED
    44 TSOP2-400R封装类型。
    敲定
    - 改变了我
    CC
    从10mA至5毫安
    - 改变了我
    CC
    1 10mA至7毫安
    - 改变了我
    CC
    2在50mA至30mA
    - 改变了我
    SB
    从3毫安至0.4mA
    - 改变了我
    DR
    （商业）
    从15μA至12μA
    - 改变了我
    DR
    （工业级）
    从20μA至12μA
    - 改变了我
    DR
    （汽车）
    从30μA至25μA
    草案日期
    2002年7月26日
    2002年11月29日
    备注
    初步
    初步
    1.0
    2003年9月16日决赛
    所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
    产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
    1
    修订版1.0
    2003年9月

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