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K6X4016T3F-TF70 参数 Datasheet PDF下载

K6X4016T3F-TF70图片预览
型号: K6X4016T3F-TF70
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内容描述: 256Kx16位低功耗和低电压CMOS静态RAM [256Kx16 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 140 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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K6X4016T3F家庭
文档标题
256Kx16位低功耗和低电压CMOS静态RAM
CMOS SRAM
修订历史
版本号
0.0
0.1
历史
最初的草案
修订
- 增加商业产品
- 已删除
44 TSOP2-400R封装类型。
- 增加了55ns的产品( @ 3.0V 〜 3.6V )
敲定
修订
- 改变了我
CC
(工作电源电流)在4mA至2mA
- 改变了我
CC
1 (平均工作电流)从4mA至3毫安
- 改变了我
CC
2 (平均工作电流)从40毫安25mA的
- 改变了我
SB
1 (待机电流( CMOS ) ,商业)
从15μA至10μA
- 改变了我
SB
1 (待机电流( CMOS ) ,工业)
从20μA至10μA
- 改变了我
SB
1 (待机电流( CMOS ) ,汽车)
从30μA至20μA
- 改变了我
DR
(数据保持电流,商业)
从15μA至10μA
- 改变了我
DR
(数据保持电流,工业)
从20μA至10μA
- 改变了我
DR
(数据保持电流,汽车)
从30μA至20μA
草案日期
2002年7月29日
2002年12月2日
备注
初步
初步
1.0
2003年8月8日
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 , LTD 。保留更改规格的权利,
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问,请联系三星分公司。
1
修订版1.0
2003年8月