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K6X8008C2B-TF55 参数 Datasheet PDF下载

K6X8008C2B-TF55图片预览
型号: K6X8008C2B-TF55
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内容描述: 1Mx8位低功耗和低电压CMOS静态RAM [1Mx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 133 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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K6X8008C2B家庭
文档标题
1Mx8位低功耗和低电压CMOS静态RAM
CMOS SRAM
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
最初的草案
修订
- 删除的44 TSOP2-400R封装类型。
- 增加商业产品。
敲定
- 改变了我
CC
在10mA为6mA
- 改变了我
CC
1 10mA至7毫安
- 改变了我
CC
2在50mA 35mA的电流
- 改变了我
SB
从3毫安至0.4mA
- 改变了我
SB
1
(商业)
从40μA至25μA
- 改变了我
SB
1
(工业级)
从40μA至25μA
- 改变了我
SB
1
(汽车)
从50μA至40μA
- 改变了我
DR
(商业)
从30μA至15μA
- 改变了我
DR
(工业级)
从30μA至15μA
- 改变了我
DR
(汽车)
从40μA至30μA
草案日期
2002年10月31日
2002年12月11日
备注
初步
初步
1.0
2003年9月16日决赛
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 , LTD 。保留更改规格的权利,
产品。三星电子将回答有关设备yourquestions 。如果您有任何疑问,请联系三星分公司。
1
修订版1.0
2003年9月