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K6X8016T3B-TF55 参数 Datasheet PDF下载

K6X8016T3B-TF55图片预览
型号: K6X8016T3B-TF55
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内容描述: 512Kx16位低功耗全CMOS静态RAM [512Kx16 bit Low Power Full CMOS Static RAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 131 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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K6X8016T3B家庭
文档标题
512Kx16位低功耗全CMOS静态RAM
CMOS SRAM
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
最初的草案
修订
- 删除的44 TSOP2-400R封装类型。
敲定
- 改变了我
CC
1 ,从4〜 3毫安
- 改变了我
CC
2 ,从45毫安至30mA
- 改变了我
SB
1
(工业级)
从30μA至15μA
- 改变了我
SB
1
(汽车)
从40μA至25μA
草案日期
2002年10月31日
2002年12月11日
备注
初步
初步
1.0
2003年9月16日
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 , LTD 。保留更改规格的权利,
产品。三星电子将回答有关设备yourquestions 。如果您有任何疑问,请联系三星分公司。
1
修订版1.0
2003年9月