K7D803671B
K7D801871B
文档标题
8M DDR同步SRAM
256Kx36 & 512Kx18 SRAM
修订历史
REV号
修订版0.0
修订版0.1
修订版0.2
历史
- 初始文件。
从10％ -ZQ公差变更为15％
从-stop时钟待机电流条件改变
V
IN
=V
DD
-0.2V或固定0.2V至V
IN
=V
IH
或V
IH
-V
DDQ
马克斯。改为2.0V
SA0 ， SA1的边界扫描顺序确定
-Deleted -HC16部分（零件号，国际直拨电话， AC Characterisctics ）
- 绝对最大额定值V
DDQ
从3.13V变化到2.825V
- LBO输入电平从高/低变到V
DDQ
/V
SS
- 停止时钟待机电流条件改变
从K =低，K =高到K =低，K =低
- t
CHQV /
t
CLQV
从0.1ns改为0.2ns的一部分-33
从0.1ns到0.2ns的一部分-30
从0.1ns到0.25ns的-25part
- t
CHQX /
t
CLQX
从-0.3ns变更为-0.2ns为-33一部分
从-0.3ns至-0.2ns为-30一部分
从-0.4ns到-0.25ns的-25part
-
t
CHQZ /
t
CLQZ
从0.1ns改为0.2ns的一部分-33
从0.1ns到0.2ns的一部分-30
从0.1ns到0.25ns的-25part
-
t
KXCH
从1.8ns改为1.7ns的一部分-33
-
t
KXCL
从1.8ns改为1.7ns的一部分-33
- 澄清的特性和有关的时序波形
爆可控性。
补充建议的直流工作条件时钟 - 。
- AC测试条件为V
DDQ
= 1.8V和单端时钟增加。
（AC测试条件2 ）
- 封装热特性加入。
- 添加- HC35部分（零件号，国际直拨电话，交流特性）
- 绝对最大额定值VDDQ从2.825V变为2.4V
- V
CM- CLK
闵从0.6V变到0.68V
- 添加- HC37部分（零件号，国际直拨电话，交流特性）
数据稿
七月。 2000
2000年8月
2000年10月
备注
ADVANCE
ADVANCE
ADVANCE
修订版0.3
2000年11月
ADVANCE
修订版0.5
修订版0.6
修订版0.7
2001年1月
2001年2月
2001年3月
Prelimary
Prelimary
Prelimary
1.0版
五月。 2001年
最终科幻
修订版2.0
修订版3.0
2001年9月
2002年1月
最终科幻
最终科幻
修订版4.0
2002年1月
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留
右来改变规格。三星电子将评估和回复的参数要求和问题
此设备的。如果您有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或cortact总部。
-1-
一月。 2002年
修订版4.0
SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
