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K7D803671B-HC25 参数 Datasheet PDF下载

K7D803671B-HC25图片预览
型号: K7D803671B-HC25
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内容描述: 256Kx36 & 512Kx18 SRAM [256Kx36 & 512Kx18 SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器双倍数据速率时钟
文件页数/大小: 16 页 / 269 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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K7D803671B
K7D801871B
总线周期状态图
256Kx36 & 512Kx18 SRAM
负载
新地址
,B
B
2
3
B
2
,B
B
1
B
2
,B
3
3
B
1
,B
B
2
B
1
B
1
3
SDR
SDR
DDR
DDR
B
1
, B
2
B
1
, B
2
B
1
, B
2
B
1
, B
2
B
1
, B
2
B
1
, B
2
B
1
, B
2
B
1
, B
2
B
1
, B
2
增量
地址
B
1
, B
2
增量
地址
B
1
, B
2
B
1
, B
2
增量
地址
增量
地址
B
1
, B
2
B
1
, B
2
动力
UP
无操作
:
1.状态转换; B
1
= (加载地址) ,B
1
= (增量地址,继续)
B
2
= (读) ,B
2
= (写)
B
3
= (单倍数据速率) ,B
3
= (双数据速率)
B
1
, B
2
B
1
, B
2
一月。 2002年
修订版4.0
-6-