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K7Q161854A-FC16 参数 Datasheet PDF下载

K7Q161854A-FC16图片预览
型号: K7Q161854A-FC16
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内容描述: 512Kx36位, 1Mx18位QDR SRAM [512Kx36-bit, 1Mx18-bit QDR SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 17 页 / 511 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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K7Q163654A
K7Q161854A
文档标题
512Kx36位, 1Mx18位QDR
TM
SRAM
512Kx36 & 1Mx18 QDR
TM
B4 SRAM
修订历史
版本号
0.0
0.1
历史
1.初始文件。
1.修订
1 )第3,4引脚名称说明
W( 4A ) :从读控制引脚来控制写入
R( 8A ) :从写控制引脚来控制阅读
BW
0
(7B)
,
BW
1
(7A)
,
BW
2
(5A)
,
BW
3
(5B)
:
从读控制引脚为字节Wrtie控制
2 )第7页状态图
铅NOP为READ NOP
1.修订
1 )第8页写真值表( X36 )
BW
2
, BW
3
对于写入所有字节值(K ↑
)
写ALLBYTEs (K ↑
) :
从"H"到" L"
2 )第13页时序波形注2补充
1. 1.8V的I / O电源电压加
1 )第2页特点
2 )第3,4引脚名称V
DDQ
3 )第10页,操作CONTITIONS
4 )第11页AC测试CONTITIONS
2.修订
1 )第15页边界扫描顺序退出
1.国际商会ISB除
2. 1.8V VDDQ除
1.保留引脚从NC高密度更名为Vss / SA
1.松开IC卡。
产品编号
-20
-16
-13
-10
x18
500
-
-
-
To
520
-
-
-
530
490
460
-
x36
To
600
550
490
-
草案日期
2001年4月30日
五月13日, 2001年
备注
ADVANCE
ADVANCE
0.2
五月26日, 2001年
ADVANCE
2001年6月11日,
ADVANCE
0.3
0.4
九月, 03 , 2001年
十一月,30岁, 2001年
ADVANCE
初步
0.5
0.6
22. 2002年5月
初步
1.0
1.最终规范发布
2.修改热阻
, 03. 2002年7月
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 , LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散,请联系三星分支机构靠近你的办公室,电话或联系总部。
-1-
七月。 2002年
1.0版