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    K8D6316UTM-PI07 参数 Datasheet PDF下载

    K8D6316UTM-PI07图片预览
    型号： K8D6316UTM-PI07
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    内容描述： 64M位（ 8M ×8 / 4M ×16）双行NOR闪存 [64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 48 页 / 1497 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K8D6316UTM-PI07的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K8D6316UTM-PI07的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K8D6316UTM-PI07的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K8D6316UTM-PI07的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K8D6316UTM-PI07的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K8D6316UTM-PI07的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K8D6316UTM-PI07的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K8D6316UTM-PI07的Datasheet PDF文件第9页  
    K8D6x16UTM / K8D6x16UBM
    NOR闪存
    文档标题
    64M位（ 8M ×8 / 4M ×16）双行NOR闪存
    修订历史
    修订历史号
    0.0
    1.0
    1.1
    最初的草案
    最终的特定网络阳离子
    修订
    - 从典型释放待机电流。 5UA （最大18uA ），以典型。
    为10uA （最大为30uA ） 。
    不支持48TSOP1套餐
    不支持16M / 16M BANK分区
    支持48TSOP1包
    支持48TSOP1无铅封装
    支持48FBGA含铅/无铅封装
    草案日期
    2002年1月10日
    2002年5月22日
    2003年6月18日
    备注
    初步
    最终科幻
    1.2
    2003年11月18日
    1.3
    1.4
    1.5
    1.6
    2004年7月22日
    2004年9月16日
    2005年3月16日
    "Asynchronous模式可能不支持阅读以下四个连续的2006年9月8日
    在200ns."无效的阅读条件添加
    1
    修订版1.6
    2006年9月，

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