K9F2808U0C
FL灰内存
文档标题
16M ×8位NAND闪存
修订历史
修订历史号
0.0
1.0
首次发行。
TBGA PKG尺寸变化
48球， 6.0毫米X 8.5毫米--> 63球， 9.0毫米X 11.0毫米
对TBGA封装1.A3引脚分配发生变化。 （第4页）
（前） NC --> （后） Vss的
2.添加卢比VS TR ， TF &卢比VS ibusy图的1.8V器件（第32页）
3.添加数据保护的Vcc guidence为1.8V器件 - 低于约
1.1V 。 （第33页）
最小。 VCC值1.8V器件被改变。
K9F28XXQ0C ： Vcc的1.65V 〜 1.95V --> 1.70V 〜 1.95V
2.2
无铅封装添加。
K9F2808U0C-FCB0,FIB0
K9F2808Q0C-HCB0,HIB0
K9F2816U0C-HCB0,HIB0
K9F2816U0C-PCB0,PIB0
K9F2816Q0C-HCB0,HIB0
K9F2808U0C-HCB0,HIB0
K9F2808U0C-PCB0,PIB0
2.3
一些AC参数改变（ K9F28XXQ0C ） 。
TWC亿千瓦时TWP的tRC tREH的激进党TREA TCEA
前
后
2.4
45
60
15
20
25
40
50
60
15
20
25
40
30
40
45
55
草案日期
2002年4月15日
2002年9月5日
备注
ADVANCE
ADVANCE
2.0
2002年Dec.10th
初步
2.1
2003年3月6日
三月第13 2003
2003年3月26日
无效的块的数目为1的新定义加入。
（最低502块有效，保证每个连续的64兆
存储器空间）
2.
注意添加。
（ VIL可以下冲至-0.4V和VIH可以过冲至VCC + 0.4V的
20 ns以下的持续时间。 ）
五月。第24届2003
2.5
2.6
1. K9F2808U （Q）的0℃ - 直流（I）的B 0 ， K9F2816U （Q）的0℃ - 直流（I）中的B0被删除。
2. TWC被改变。
为45nS （前） --- >为50ns （后）
3.最小有效的块号被改变。
1004 （前） --> 1009（后）
1.最小有效的块号被改变。
1009（前） --> 1004 （后）
二零零三年十月十日
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。
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