K9F4008W0A - TCB0 ， K9F4008W0A ， TIB0
文档标题
512K ×8位NAND闪存
FL灰内存
修订历史
修订历史号
0.0
1.0
1.1
首次发行。
1.改变工作电压2.7V 〜 5.5V
→
3.0V ~ 5.5V
数据表1999
数据加载和读期间1.增加了CE别护理模式
t
1.更改设备名称
- KM29W040AT -> K9F4008W0A ， TCB0
- KM29W040AIT -> K9F4008W0A ， TIB0
1.Powerup序列添加
：内部电路得到之前需要1μs的最小恢复时间
准备好所有的命令序列
~ 2.5V
草案日期
1998年4月10日
1998年7月14日
1999年4月10日
备注
初步
1.2
1999年9月15日
1.3
2001年7月23日
≈
~ 2.5V
V
CC
高
WP
WE
2.交流参数TCLR （ CLE到RE延迟，最小为50ns ）加入。
3. AC参数焦油分为TAR1 ， TAR2
ALE到RE延迟
t
AR
250
（修改前）
-
ns
≈
1µ
≈
（修改后）
ALE到RE延迟（ ID延迟）
ALE到RE延迟（读周期）
t
AR1
t
AR2
20
250
-
-
ns
ns
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
s
http://www.intl.samsungsemi.com/Memory/Flash/datasheets.html
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。
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