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    K9F5608U0C-YCB0 参数 Datasheet PDF下载

    K9F5608U0C-YCB0图片预览
    型号： K9F5608U0C-YCB0
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512MB / 256MB 1.8V NAND闪存勘误表 [512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 39 页 / 654 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号K9F5608U0C-YCB0的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K9F5608U0C-YCB0的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K9F5608U0C-YCB0的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K9F5608U0C-YCB0的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K9F5608U0C-YCB0的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K9F5608U0C-YCB0的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K9F5608U0C-YCB0的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K9F5608U0C-YCB0的Datasheet PDF文件第9页  
    电子
    三月。 2003
    圣16半月里
    泰安邑Hwasung-市
    京畿待办事项，韩国
    联系电话）， 82 - 31 - 208 - 6463
    传真） 82 - 31 -208 - 6799
    512MB / 256MB 1.8V NAND闪存勘误表
    说明：有些交流特性不符合规范
    .
    >交流特性：请参考表
    受影响的产品： K9F1208Q0A - XXB0 ， K9F1216Q0A ， XXB0
    K9F5608Q0C - XXB0 ， K9F5616Q0C ， XXB0
    K9K1208Q0C - XXB0 ， K9K1216Q0C ， XXB0
    改进计划：如果没有这个限制，这些部件将
    可从工作周23或之后。
    解决方法：根据上表放宽有关时序参数。
    表
    参数
    规范
    宽松的条件
    TWC
    45
    80
    亿千瓦时
    15
    20
    TWP
    25
    60
    TRC
    50
    80
    tREH定义
    15
    20
    激进党
    25
    60
    单位： NS
    TREA
    30
    60
    TCEA
    45
    75
    此致，
    chwoosun@sec.samsung.com
    产品规划&应用工程。
    存储事业部
    三星电子有限公司
    1

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