KM62256D家庭
文档标题
32Kx8位低功耗CMOS静态RAM
CMOS SRAM
修订历史
修订历史不
0.0
0.1
最初的草案
第一次修订
-
K
M62256DL / DLI我
SB1
= 100
→
50µA
KM62256DL - L I
SB1
= 20
→
10µA
KM62256DLI - L I
SB1
= 50
→
15µA
- C
IN
= 6
→
为8pF ，C
IO
= 8
→
10pF
- KM62256D -4 /5/7系列
TOH = 5
→
10ns
- KM62256DL / DLI我
DR
= 50→30µA
KM62256DL -L / DLI - L I
DR
= 30
→
15µA
敲定
- 删除我
CC
写入值
- 改进工作电流
I
CC2
= 70
→
60mA
- 改进的待机电流
KM62256DL / DLI我
SB1
= 50
→
30µA
KM62256DL - L I
SB1
= 10
→
5µA
KM62256DLI - L I
SB1
= 15
→
5µA
- 改进的数据保持电流
KM62256DL / DLI我
DR
= 30
→
5µA
KM62256DL -L / DLI - L I
DR
= 15
→
3µA
- 从商业产品和100ns的部分删除部分为45nS
从工业产品。
更换试验载荷为100pF电容50pF的为55ns的一部分
数据稿
1997年5月18日
1997年4月1日
备注
设计目标
Preliminily
1.0
1997年11月11日
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利和
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
修订版1.0
1997年11月
SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
