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KM62256CLG-7L 参数 Datasheet PDF下载

KM62256CLG-7L图片预览
型号: KM62256CLG-7L
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内容描述: 32Kx8位低功耗CMOS静态RAM [32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 161 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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KM62256C家庭
写周期时序波形( 1 )
(我们控制)
CMOS SRAM
t
WC
地址
t
CW(2)
CS
t
AW
t
WP(1)
WE
t
AS(3)
DATA IN
t
WHZ
数据输出
数据中,未定义
t
DW
数据有效
t
OW
t
DH
t
WR(4)
写周期时序波形( 2 )
( CS控制)
t
WC
地址
t
AS(3)
CS
t
AW
t
WP(1)
WE
t
DW
DATA IN
数据有效
t
DH
t
CW(2)
t
WR(4)
数据输出
笔记
(写周期)
高-Z
高-Z
低CS和低WE重叠期间发生1.写。一开始写在CS中的最新过渡会低和WE
变低:写在结尾中CS变为高电平最早的过渡,我们要高,T
WP
从写开始时测得的
到写的末尾。
2. t
CW
是从CS测量要低写入的结束。
3. t
AS
从地址有效到写的开始测量的。
4. t
WR
从写入地址变更的端部测量的。吨
R
在适用的情况下写一个结尾为CS或者我们要高。
W
数据保存波形
CS控
V
CC
4.5V
t
SDR
数据保持方式
t
RDR
2.2V
V
DR
CS = V
CC
- 0.2V
CS
GND
7
修订版4.0
1997年12月