KM62256CLTG-5L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	KM62256CLTG-5L
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内容描述：	32Kx8位低功耗CMOS静态RAM [32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM]
分类和应用：	存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小：	9 页 / 161 K
品牌：	SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]

KM62256C家庭

32Kx8位低功耗CMOS静态RAM

特点

•

工艺技术： 0.7微米CMOS

•

组织： 32Kx8

•

电源电压：单5V ±10 ％

•

低数据保持电压： 2V （最小值）

•

三态输出与TTL兼容

•

封装类型： 28 - DIP -600 ， 28 -SOP -450 ，

28 TSOP1 -0813.4F / R

CMOS SRAM

概述

该KM62256C家庭是由三星先进的制造

CMOS工艺技术。该系列支持各种operat-

荷兰国际集团温度范围和对用户的各种封装类型

系统设计的灵活性。该系列产品还支持低数据

保持电压的电池备份低数据操作

保持电流。

产品系列

功耗

产品系列

KM62256CL

KM62256CL-L

KM62256CLE

KM62256CLE-L

KM62256CLI

KM62256CLI-L

工业（ -40〜 85°C ）

70ns

扩展（ -25〜 85°C ）

70ns

工作温度。

速度快（纳秒）

PKG型

待机

SB1

，最大值）

100µA

20µA

100µA

50µA

100µA

50µA

70mA

操作

（ICC

)

商业级（0 〜 70 ° C）

55/70ns

28 - DIP ， 28 -SOP

28 - TSOP I R / F

28-SOP

28 - TSOP I R / F

28-SOP

28 - TSOP I R / F

引脚说明

A11

A13

VCC

A14

A12

A14

VCC

A13

A11

A10

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

VSS

I/O3

I/O2

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

A10

功能框图

CLK GEN 。

预充电电路。

A14

A12

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

VCC

A13

A11

A10

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

28-TSOP

I型 - 前进

A12

A13

A14

ROW

SELECT

28-DIP

28-SOP

存储阵列

512行

64 × 8列

28-TSOP

I型 - 反向

I / O

数据

CONT

I / O电路

列选择

数据

CONT

NameName

I / O

-I / O

VCC

VSS

功能

地址输入

写使能输入

片选输入

输出使能输入

数据输入/输出

Power(5V)

地

A10

A11

控制

逻辑

三星电子有限公司

保留更改产品规格，恕不另行通知。

修订版4.0

1997年12月

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