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KM62256CLTG-7 参数 Datasheet PDF下载

KM62256CLTG-7图片预览
型号: KM62256CLTG-7
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内容描述: 32Kx8位低功耗CMOS静态RAM [32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 165 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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KM62256C家庭
32Kx8位低功耗CMOS静态RAM
特点
¡Ü
¡Ü
初步
CMOS SRAM
概述
该KM62256C家庭是由三星先进的制造
CMOS工艺技术。该系列可支持各种
工作温度范围,并有多种封装类型
系统设计的用户灵活性。该系列产品还支持低
数据保持电压,用于电池后备低操作
数据保持电流。
¡Ü
¡Ü
¡Ü
¡Ü
工艺技术: 0.7
§-
CMOS
组织: 32Kx8
电源电压: 5V单
¡¾
10%
低数据保持电压: 2V (最小值)
三态输出与TTL兼容
封装类型: JEDEC标准
28 - DIP , 28 - SOP , 28 - TSOP I -forward /反转
产品系列
功耗
产品
家庭
KM62256CL
KM62256CL-L
KM62256CLE
KM62256CLE-L
KM62256CLI
KM62256CLI-L
*该参数测量30pF的测试负载。
操作
温度。
速度
(纳秒)
PKG型
待机
(I
SB1
,最大值)
100
§Ë
20
§Ë
100
§Ë
50
§Ë
100
§Ë
50
§Ë
操作
(ICC
2
)
商业级(0 〜 70
¡É
)
扩展( -25〜 85
¡É
)
工业级(-40 〜 85
¡É
)
45*/55/70ns
70/100ns
70/100ns
28 - DIP , 28 -SOP
28 - TSOP I R / F
28-SOP
28 - TSOP I R / F
28-SOP
28 - TSOP I R / F
70mA
引脚说明
功能框图
A
0
~A
2,
A
9~11
OE
A
11
A
9
A
8
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
A
10
CS
I / O
8
I / O
7
y解码器
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
V
CC
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CS
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
X解码器
A
13
WE
V
CC
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
I / O
6
I / O
5
I / O
4
V
SS
I / O
3
I / O
2
I / O
1
A
0
A
1
A
2
28-TSOP
I型 - 前进
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A
3
~A
8,
A
12~14
CELL
ARRAY
控制逻辑
CS
WE , OE
28-DIP
28-SOP
22
21
20
19
18
17
16
15
I / O
1
~
8
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
12
A
14
V
CC
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
15
16
17
18
19
20
I / O缓冲器
A
2
A
1
A
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
I / O
8
CS
A
10
28-TSOP
I型 - 反向
NameName
A
0
~A
14
WE
CS
OE
I / O
1
-I / O
8
VCC
VSS
功能
地址输入
写使能输入
片选输入
输出使能输入
数据输入/输出
Power(5V)
21
22
23
24
25
26
27
28
修订版3.0
1996年4月