KM6264BLG-10L 参数 Datasheet PDF下载

型号：	KM6264BLG-10L
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内容描述：	8Kx8位低功耗CMOS静态RAM [8Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	10 页 / 155 K
品牌：	SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]

KM6264B家庭

8Kx8位低功耗CMOS静态RAM

功能摘要

•

工艺技术： CMOS

•

组织： 8K ×8

•

电源电压：单5V ±10 ％

•

低数据保持电压： 2V （最小值）

•

三态输出与TTL兼容

•

封装类型： JEDEC标准

28 - DIP ， 28 -SOP

CMOS SRAM

概述

该KM6264B家庭是由三星公司制造

先进的CMOS工艺技术。家庭

可支持不同的操作温度范围

并且对用户的灵活性各种封装类型

系统设计。该系列产品还支持低数据

保持电压的电池备份与操作

低数据保持电流。

产品系列

产品

家庭

KM6264BL

KM6264BL-L

KM6264BLE

KM6264BLE-L

KM6264BLI

KM6264BLI-L

操作

温度

(0~70 °C)

EXTENDED

(-25~-85 °C)

产业

(-40~85 °C)

速度

PKG型

功耗

待机（ ISB1 ，最大）工作（ ICC2 ）

100uA

百分之七十○ / 120ns的28 - DIP ， 28 -SOP

100*ns

28-SOP

10uA

100uA

50uA

100uA

50uA

55mA

*测量30pF的负载测试

引脚说明

N.C

A12

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

VCC

/ WE

功能框图

y解码器

X解码器

控制逻辑

CS2

A11

/ OE

A10

/CS1

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

电池阵列

A0~A12

28引脚DIP

28引脚SOP

I/O1~8

I / O缓冲器

功能

/ CS1，CS2

/ WE ， / OE

引脚名称

A0~A12

/ WE

/ CS1，CS2

/ OE

I/O1~I/O8

VCC

VSS

N.C

地址输入

写使能输入

片选输入

输出使能输入

数据输入/输出

Power(5V)

地

无连接

电子

修订版。 0.0

Auust 。 1996年

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