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KM681000BLG-7 参数 Datasheet PDF下载

KM681000BLG-7图片预览
型号: KM681000BLG-7
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内容描述: 128K ×8位低功耗CMOS静态RAM [128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 195 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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KM681000B家庭
128K ×8位低功耗CMOS静态RAM
特点
¡Ü
¡Ü
初步
CMOS SRAM
概述
该KM681000B家庭是由三星先进的制造
CMOS工艺技术。该系列可支持各种
的工作温度范围和具有各种封装类型
系统设计的用户灵活性。该系列产品还支持低
数据保持电压,用于电池后备低操作
数据保持电流。
¡Ü
¡Ü
¡Ü
¡Ü
工艺技术: 0.6
§-
CMOS
组织: 128Kx8
电源电压: 5.0V单
¡¾
10%
低数据保持电压: 2V (最小值)
三态输出与TTL兼容
封装类型: JEDEC标准
32 - DIP , 32 - SOP , 32 - TSOP I R / F
产品系列
功耗
产品
家庭
KM681000BL
KM681000BL-L
KM681000BLE
KM681000BLE-L
KM681000BLI
KM681000BLI-L
Industrial(-40~85
¡É
)
70/100ns
Extended(-25~85
¡É
)
70/100ns
操作
温度
速度
PKG型
待机
(I
SB1
,最大值)
100
§Ë
20
§Ë
100
§Ë
50
§Ë
100
§Ë
50
§Ë
70mA
操作
(I
CC2
)
Commercial(0~7
¡É
)
55/70ns
32-DIP,32-SOP
32 - TSOP I R / F
32-SOP
32 - TSOP I R / F
32-SOP
32 - TSOP I R / F
引脚说明
功能框图
A
0~3,
A
8~11
N.C
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
V
CC
A
15
CS
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CS
1
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
32-DIP
32-SOP
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
CS
2
A
15
V
CC
NC
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
32-TSOP
I型 - 前进
OE
A
10
CS
1
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
V
SS
I / O
3
I / O
2
I / O
1
A
0
A
1
A
2
A
3
y解码器
X解码器
A
4~7,
A
12~16
CELL
ARRAY
控制逻辑
CS
1
, CS
2
WE
,
OE
I / O
1
~
8
A
4
A
5
A
6
A
7
A
12
A
14
A
16
NC
V
CC
A
15
CS
2
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
17
18
19
20
21
22
I / O缓冲器
32-TSOP
I型反转
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
V
SS
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
I / O
8
CS
1
A
10
OE
名字
A
0
~A
16
WE
功能
地址输入
写使能输入
片选输入
输出使能输入
数据输入/输出
动力
无连接
CS
1
, CS
2
OE
I / O
1
-I / O
18
VCC
VSS
N.C
修订版0.3
1996年4月