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    KM681002BJ-8 参数 Datasheet PDF下载

    KM681002BJ-8图片预览
    型号： KM681002BJ-8
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    内容描述： 128Kx8位高速静态RAM （ 5V工作） ，革命销出去。工作在商用和工业温度范围。 [128Kx8 Bit High Speed Static RAM(5V Operating), Revolutionary Pin out. Operated at Commercial and Industrial Temperature Range.]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 174 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号KM681002BJ-8的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KM681002BJ-8的Datasheet PDF文件第3页浏览型号KM681002BJ-8的Datasheet PDF文件第4页浏览型号KM681002BJ-8的Datasheet PDF文件第5页浏览型号KM681002BJ-8的Datasheet PDF文件第6页浏览型号KM681002BJ-8的Datasheet PDF文件第7页浏览型号KM681002BJ-8的Datasheet PDF文件第8页  
    初步
    KM681002B ， KM681002BI
    文档标题
    128Kx8位高速静态RAM （ 5V工作） ，革命销出去。
    工作在商用和工业温度范围。
    初步
    初步
    CMOS SRAM
    修订历史
    REV号
    修订版0.0
    Rev.1.0
    历史
    最初的版本与设计目标。
    发布初步数据表。
    1.更换设计目标初步。
    发布到最终数据手册。
    2.1 。初步删除
    2.2 。删除32 SOJ -300封装
    2.3 。删除L-版本。
    2.4 。删除数据保持特性和波形。
    2.5 。添加测试环境的容性负载在交流测试负载
    2.6 。改变D.C特点
    以前的规范。
    改变了规范。
    项
    （8 /10 /为12ns部）
    （8 /10 /为12ns部）
    ICC
    160/150/140mA
    160/155/150mA
    ISB
    30mA
    50mA
    数据稿
    1997年4月1日
    1997年6月1日
    备注
    设计目标
    初步
    Rev.2.0
    1998年2月25日
    最终科幻
    所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留
    右来改变规格。三星电子将评估和回复的参数要求和问题
    此设备的。如果您有任何疑问，请联系您附近的办公室SAMSUNG分支机构，致电或联系Headquart器。
    -1-
    修订版2.0
    1998年2月

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