KMM366S1623CT
KMM366S1623CT SDRAM DIMM
初步
PC100 SDRAM模块
基于8Mx8 ， 4Banks ， 4K刷新， 3.3V同步DRAM与SPD 16Mx64 SDRAM DIMM
概述
三星KMM366S1623CT是16M位x 64同步
动态RAM的高密度内存模块。三星
KMM366S1623CT包括16个CMOS 8M ×8位与
4banks的TSOP- II封装400mil和同步DRAM
2K在168针的玻璃环氧树脂EEPROM采用8引脚TSSOP封装
基材。两个0.1uF的去耦电容器被安装在所述
印刷电路板平行的每个SDRAM中。
该KMM366S1623CT是双列直插式内存模块，并
用于安装到168针边缘连接器插座。
同步设计允许使用精确的周期控制
系统时钟。 I / O事务处理可在每个时钟周期。
工作频率范围，可编程延迟允许
相同的设备，以针对各种不同的高带宽，高有用
高性能内存系统的应用程序。
特征
•性能范围
产品型号
最大频率。 （速度）
KMM366S1623CT-G8
125MHz的（为8ns @ CL = 3 ）
KMM366S1623CT-GH
为100MHz （ 10ns的@ CL = 2 ）
KMM366S1623CT-GL
为100MHz （ 10ns的@ CL = 3 ）
突发模式工作
自动&自我刷新能力（ 4096周期/ 64ms的）
LVTTL兼容的输入和输出
3.3V单电源
±
0.3V电源
MRS周期与解决关键程序
潜伏期（从地址栏访问）
突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
数据加扰（顺序&交错）
所有的输入进行采样的正边沿
系统时钟
串行存在检测与EEPROM
PCB ：
高度（ 1,375mil ）
双面组件
•
•
•
•
•
•
•
•
引脚配置（正面/背面）
销前销
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
DD
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
V
SS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
V
DD
DQ14
DQ15
*CB0
*CB1
V
SS
NC
NC
V
DD
WE
DQM0
前
销前销
DQ18
DQ19
V
DD
DQ20
NC
*V
REF
CKE1
V
SS
DQ21
DQ22
DQ23
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
DD
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
CLK2
NC
WP
** SDA
** SCL
V
DD
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
后
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
V
DD
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
V
SS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
V
DD
DQ46
DQ47
*CB4
*CB5
V
SS
NC
NC
V
DD
CAS
DQM4
针
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
后
DQM5
CS1
RAS
V
SS
A1
A3
A5
A7
A9
BA0
A11
V
DD
CLK1
*A12
V
SS
CKE0
CS3
DQM6
DQM7
*A13
V
DD
NC
NC
*CB6
*CB7
V
SS
DQ48
DQ49
PIN BACK
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
DQ50
DQ51
V
DD
DQ52
NC
*V
REF
NC
V
SS
DQ53
DQ54
DQ55
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
V
DD
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
CLK3
NC
**SA0
**SA1
**SA2
V
DD
29 DQM1 57
58
CS0
30
59
31
DU
60
32
V
SS
61
33
A0
62
34
A2
63
35
A4
64
36
A6
65
37
A8
38 A10 / AP 66
67
39
BA1
68
40
V
DD
69
41
V
DD
42 CLK0 70
71
43
V
SS
72
44
DU
73
45
CS2
46 DQM2 74
47 DQM3 75
76
48
DU
77
49
V
DD
78
50
NC
79
51
NC
80
52 * CB2
81
53 * CB3
82
54
V
SS
55 DQ16 83
56 DQ17 84
引脚名称
引脚名称
A0 ~ A11
BA0 〜 BA1
DQ0 〜 DQ63
CLK0 〜 CLK3
CS0 〜 CS3
RAS
CAS
WE
DQM0 〜 7
V
DD
V
SS
*V
REF
SDA
SCL
SA0 〜 2
WP
DU
NC
功能
地址输入（复用）
选择银行
数据输入/输出
时钟输入
片选输入
行地址选通
列地址选通
写使能
DQM
电源（ 3.3V ）
地
电源为参考
串行数据I / O
串行时钟
地址在EEPROM
写保护
不使用
无连接
CKE0 〜 CKE1时钟使能输入
*这些引脚没有这个模块中使用。
**
这些引脚应数控系统
不支持SPD 。
三星电子有限公司保留变更产品规格，恕不另行通知。
REV 。 1998年6月1日
SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
