SMD型
多层陶瓷电容器
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X5R
应用
稳定类
■介质
性能，适合于通过通和耦合而言，滤波，鉴频，直流
堵塞，并作为电压的瞬态抑制的元素。
附录
Ⅰ
C0G ，温度补偿型（ 0603 〜 3216 ）
TYPE
尺寸（英寸）
伏特（V）的
0603(0201)
25
1005(0402)
25
50
C0G
1608(0603)
25
50
2012(0805)
25
50
3216(1206)
25
50
介电特性
温度特性
工作温度
电容容差
耗散因数& Q
±15%
-55~85℃
±10%, ±20%,
(±5%,
+80~-20%)
50V最小。 ： 2.5 ％最大。 25V最小。 ： 3.0 ％最大。
16V最小。 ： 3.5 ％最大。 10V最小。 ： 5.0 ％最大。
6.3V最小。 ：5.0 ％ MAX（ \u003c 3.3㎌ ） ， 10 ％最大（ ≥3.3㎌ ）
照薄层兰格电容型10 ％最大。
大于10,000MΩ或500Ω （以较小者为准）
F
照薄层兰格电容式50Ω最小。
F
>2.5×RVDC
1 ± 0.2Vrms （ ≤10㎌ ， 10V分钟）
0.5 ± 0.1Vrms （ ≤10㎌ ， 6.3V最大值）。
0.5±0.1Vrms(>10㎌)
1 ± 0.1k㎐ （ ≤10㎌ ， 10V分钟）
1 ± 0.1k㎐ （ ≤10㎌ ， 6.3V最大） ， 120 ±24㎐ （ >10㎌ ）
帽。
0.5㎊(0R5)
1㎊(010)
2㎊(020)
3㎊(030)
4㎊(040)
5㎊(050)
6㎊(060)
7㎊(070)
8㎊(080)
9㎊(090)
10㎊(100)
12㎊(120)
15㎊(150)
18㎊(180)
22㎊(220)
27㎊(270)
33㎊(330)
39㎊(390)
47㎊(470)
56㎊(560)
68㎊(680)
82㎊(820)
100㎊(101)
120㎊(121)
150㎊(151)
180㎊(181)
220㎊(221)
270㎊(271)
330㎊(331)
390㎊(391)
470㎊(471)
560㎊(561)
680㎊(681)
820㎊(821)
1000㎊(102)
1200㎊(122)
1500㎊(152)
1800㎊(182)
2200㎊(222)
2700㎊(272)
3300㎊(332)
3900㎊(392)
4700㎊(472)
5600㎊(562)
6800㎊(682)
8200㎊(822)
10000㎊(103)
12000㎊(123)
15000㎊(153)
18000㎊(183)
22000㎊(223)
27000㎊(273)
33000㎊(333)
47000㎊(473)
56000㎊(563)
68000㎊(683)
82000㎊(823)
0.1㎌(104)
绝缘电阻
介电强度
测试电压
测试频率
Y5V
应用
喜-K （ Y5V ）电介质提供高电容密度，非常适合应用在空间处于
溢价，或作为替代钽电容。典型的应用包括用作旁路或去耦元件。
在或接近室温下获得最好的性能，具有低的直流偏压。
介电特性
温度特性
工作温度
电容容差
耗散因数& Q
+22%~-82%
-30~85℃
-20~+80%(±20%)
50V最小。 ： 5 ％最大。 25V最小。 ： 7 ％最大。
16V最小。 ： 9 ％最大。 10V最小。 ： 12.5 ％最大。
6.3V最小。 ： 15 ％最大。
照薄层兰格电容型20 ％最大。
超过10,000MΩor 500Ω
F（无论
是较小的）
照薄层兰格电容式50Ω最小。
F
>2.5×RVDC
1 ± 0.2Vrms （ ≤10㎌ ， 10V分钟）
0.5 ± 0.1Vrms （ ≤10㎌ ， 6.3V最大值）。
0.5±0.1Vrms(>10㎌)
1 ± 0.1k㎐ （ ≤10㎌ ， 10V分钟）
1 ± 0.1k㎐ （ ≤10㎌ ， 6.3V最大） ， 120 ±24㎐ （ >10㎌ ）
绝缘电阻
介电强度
测试电压
测试频率
温度补偿型：损耗因数第22页（第5号）
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