径向轴向&
多层陶瓷电容器
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特征
号
项
温度
补偿型
无明显缺陷
内
±
2.5％或
±
X7R电容是0.25 pF
:
≤
±
7.5%
（以较大者为准） Z5U ， Y5V ：
≤
±
20%
30㎊最小。 ：
Q≥1,000 （ DF≤0.1 ％ ）
30㎊最大。 ：
Q≥400+20C
(DF≤1/(400+20C))
字符。 50V最小。
X7R
≤
2.5%
Z5U
≤4.0%
25V
≤3%
-
16V
10V
高介电常数型
测试方法
与条件
- 焊接温度： 260 ± 5 ℃
- 浸泡时间： 5 ± 0.5秒
- 把它拿出来，并将其设置为24 ± 2
小时（温度补偿
型）或48 ±4小时（高介电
率型） ，然后进行测量。
号
项
温度
补偿型
30㎊最小。 ：
Q≥350 （ DF≤0.3 ％ ）
10㎊≤Cp≤30㎊ ：
Q≥275+5/2C
(DF≤1/(275+5/2C))
10㎊最大。 ：
Q≥200+10C
(DF≤1/(200+10C))
I.R.
11
步
1
2
3
4
特征
高介电常数型
字符。 50V最小。
X7R
Z5U
≤5%
≤4.0%
25V
≤5%
-
16V
≤5%
-
10V
≤5%
-
7.
外观阻力
to
电容
焊接
变化
热
耗散
因子（或Q）
测试方法
与条件
把它拿出来，并将其设置为24 ±2小时
（温度compensatig ）或48 ± 4
小时（高介电常数型）
在室温下，然后进行测量。
充电/放电电流小于
比50毫安。
10
耗散
高
温度系数（或Q ）
负载
≤3.5% ≤5.0%
-
-
≤9%
≤5%
(<220㎋)
(<220㎋)
Y5V
≤7%
≤7% ≤12.5% ≤12.5%
(≥220㎋)
(≥220㎋)
Y5V
≤7.5%
≤10%
(<1㎌)
≤12.5% ≤15%
≤7%
(≥1㎌)
超过1000个
MΩ
或50
Ω
（以较小者为准）
F
CHAR 。
X7R
Z5U
温度。
范围
-55
to
+125℃
-10
to
+85℃
-30
to
+85℃
25℃
参考
温度。
帽。
变化
内
±15%
内
+22%
-56%
内
+22%
-82%
I.R.
8.
温外观
周期
电容
变化
耗散
因子（或Q）
.F
超过10,000
MΩ
或500
Ω
（两者&小）
无明显缺陷
内
±
2.5％或
±
X7R电容是0.25 pF
：在+ 7.5 ％
Z5U ， Y5V ：在
±
20%
30㎊最小。 ：
Q≥1,000 （ DF≤0.1 ％ ）
30㎊最大。 ：
Q≥400+20C
(DF≤1/(400+20C))
字符。 50V最小。
X7R
≤
2.5%
Z5U
≤4.0%
25V
≤3%
-
16V
10V
分钟。
马克斯。
温度。手术室手术室
(℃)
温度。温度。
温度。
温度。
+0, -3
+3, -0
时间
（分钟）
30±3
2至3个
30±3
2至3个
电容电容
温度变化
特征
≤3.5% ≤5.0%
-
-
Y5V
≤9%
≤5%
(<220㎋)
(<220㎋)
Y5V
≤7%
≤7% ≤12.5% ≤12.5%
(≥220㎋)
(≥220㎋)
把它拿出来，并将其设置为24 ±2小时
[温辐射补偿或48 ± 4
小时（高介电常数型） ，在室温
温度，比措施。
温度
系数
- 温度： 40 ± 2 ℃
CHAR 。
温度。
范围
温度
系数
（ 1 ）温度补偿型：
温度系数为
使用电容决定
在步骤3中作为参考测量。
当循环温度
依次从步骤1至5 。
（ SL ： 25 〜85 ℃ ）的电容应
与在指定公差
的温度系数。
电容漂移计算
分之间的区别
中的最大的测量值
步骤1,3和5由键帽，在步骤3中的值。
步
温度（
℃
)
1
2
3
4
5
25±2
-55±3
25±2
125 ± 3 （对于C0G ）
25±2
I.R.
9.
湿度
负载
外形
电容
变化
.F
超过10,000
MΩ
或500
Ω
（以较小者为准）
无明显缺陷
内
±
7.5％或
±
0.75㎊
（以较大者为准）
X7R ：在
±12.5%
Z5U ：在
±30%
Y5V ：在
+
30%,
-40%
（ Y5V / 1.0μ2.2μ4.7μ
F,
F,
F/10V)
内
±30%
（其他）
字符。 50V最小。
X7R
Z5U
≤5%
≤4.0%
25V
≤5%
-
16V
≤5%
-
10V
≤5%
-
-55
to
C0G
±
30ppm/℃
+125℃
- 湿度： 90 〜 95 ％ RH
- 小时： 500 ± 12小时
- 测试电压： TGE额定电压
- 把它拿出来，并将其设置为24 ±2小时
（温度compensatig ）或48 ± 4
小时（高介电常数型）
在室温下，然后进行测量。
充电/放电电流小于
比50毫安。
耗散
因子（或Q）
30㎊最小。 ：
Q≥200 （ DF≤0.5 ％ ）
30㎊最大。 ：
Q≥100+10/3C
(DF≤1/(100+10/3C))
（ 2 ）高介电常数型：
电容的范围
更改与25 ℃相比，
值在整个温度
表中所示的范围应
在指定范围内。
12的调节
环境的
污染物质
13关于该法规
破坏性材料
对臭氧层的
•切勿
使用下面的调控本文含铅MLCC产品的上述材料。
铅，镉，汞，铬
+6
，多溴联苯（ polybromida联苯） ， PBDE （多溴二苯醚） ，石棉。
Y5V
≤10%
(<1
㎌)
≤7.5% ≤12.5% ≤12.5% ≤15%
(≥1
㎌)
切勿使用ODS （消耗臭氧层物质）的材料如下含铅MLCC产品
监管这个文件。
I.R.
10.高
外形
温度
电容
负载
变化
500多
MΩ
或25
Ω
（以较小者为准）
.F
无明显缺陷
内
±
3％或
±
0.3㎊
（以较大者为准）
X7R ：在
±12.5%
， Z5U ：在
±30%
Y5V ：在
±30%(Cap.
< 1.0μ
F)
在± 30％时，
-40 ％ （第≥
1.0μ
F)
- 测试时间： 1000± 12小时
- 施加电压：额定电压× 200 ％
- 温度：
C0G ， X7R
→
125±3℃
Z5U ， Y5V
→
85±3℃
包装数量
径向型
内盒
2,500
外箱
15,000
备注
包装平攻的基础上，设定
内盒
5,000
外箱
50,000
轴向型
备注
单位：个
包装平攻的基础上，设定
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