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    2SK1184 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1184图片预览
    型号： 2SK1184
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： MOSFET [MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 37 K
    品牌： SANKEN [ SANKEN ELECTRIC ]
       
    2SK1184
    绝对最大额定值
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    D（脉冲）
    P
    D
    E
    AS
    总胆固醇
    TSTG
    评级
    200
    ±20
    ±5
    ±20
    （TCH
    150ºC)
    （ TA = 25°C ）
    外形尺寸1 ...... FM20
    电气特性
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    TH
    Re
    （ YFS ）
    R
    DS （ ON）
    西塞
    科斯
    t
    on
    t
    关闭
    2.0
    1.3
    2.5
    0.5
    260
    100
    50
    60
    0.8
    民
    200
    ±500
    250
    4.0
    评级
    典型值
    最大
    单位
    V
    nA
    µA
    V
    S
    Ω
    pF
    pF
    ns
    ns
    （ TA = 25°C ）
    单位
    V
    V
    A
    A
    W
    mJ
    ºC
    ºC
    条件
    I
    D
    = 250μA ，V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    =
    ±20V
    V
    DS
    = 200V, V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 250µA
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 2.5A
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 2.5A
    V
    DS
    = 25V ， F = 1.0MHz的，
    V
    GS
    = 0V
    I
    D
    = 2.5A ，V
    DD
    = 100V,
    V
    GS
    = 10V,
    参见图2第5页。
    30 （TC = 25℃ ）
    *
    67
    150
    -55到+150
    松开，
    V
    DD
    L=
    L
    *
    ：见= 50V ， 1 on4mH ， I5 = 5.0A ，
    科幻gure
    页面
    V
    DS
    — I
    D
    特征
    5
    10V
    4
    3
    4
    3
    5
    V
    GS
    — I
    D
    特征
    1.0
    V
    DS
    = 10V
    0.8
    I
    D
    — R
    DS （ ON）
    特征
    V
    GS
    =10V
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    0
    2
    4
    T
    C
    = – 55ºC
    25ºC
    125ºC
    6
    8
    10
    I
    D
    (A)
    6V
    2
    1
    0
    I
    D
    (A)
    0.6
    5.5V
    5V
    V
    GS
    = 4.5V
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    2
    1
    0
    0.4
    0.2
    0
    0
    0.5
    1.0
    1.5
    2.0
    2.5
    3.0
    3.5
    4.0
    4.5
    5.0
    V
    DS
    (V)
    V
    GS
    (V)
    I
    D
    (A)
    I
    D
    • RE
    （ YFS ）
    特征
    10
    V
    DS
    = 10V
    5
    T
    C
    = – 55ºC
    25ºC
    125ºC
    6
    8
    V
    GS
    — V
    DS
    特征
    2.0
    T
    C
    — R
    DS （ ON）
    特征
    I
    D
    = 2.5A
    V
    GS
    =10V
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    Re
    （ YFS ）
    (S)
    V
    DS
    (V)
    4
    I
    D
    =5A
    1.0
    1
    2
    0.5
    0.3
    0.05 0.1
    0
    0.5
    1
    5
    10
    5
    10
    20
    I
    D
    =2.5A
    0
    –50
    0
    50
    100
    150
    I
    D
    (A)
    V
    GS
    (V)
    TC （ ℃）
    V
    DS
    - 电容特性
    1000
    500
    V
    GS
    = 0V
    F = 1MHz的
    西塞
    4
    5
    V
    SD
    — I
    DR
    特征
    50
    安全工作区
    I
    D
    （脉冲）最大
    10
    R
    DS
    IMIT
    L
    5
    I
    D
    最大
    (O
    N)
    （ TC = 25 ° C）
    30
    钽 - P
    D
    特征
    ED
    电容（pF）
    10
    0
    µ
    s
    DC
    1m
    s
    10
    ms
    OP
    (1s
    ER
    热
    )
    AT
    IO
    N
    W
    第i个
    20
    in
    P
    D
    (W)
    I
    DR
    (A)
    100
    科斯
    50
    I
    D
    (A)
    3
    鳍
    ITE
    1
    he
    s
    at
    2
    10V
    1
    5V
    V
    GS
    = 0V
    0.8 1.0 1.2
    1.4
    0
    0.5
    in
    10
    k
    CRSS
    10
    5
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    0.1
    0.05
    0.03
    无需散热器
    3
    5
    10
    50 100
    500
    0
    0
    50
    100
    150
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    V
    DS
    (V)
    V
    SD
    (V)
    V
    DS
    (V)
    TA （℃ ）
    14

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