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2SK1191图片预览
型号: 2SK1191
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内容描述: MOSFET [MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
文件页数/大小: 1 页 / 37 K
品牌: SANKEN [ SANKEN ELECTRIC ]
   
2SK1191
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
P
D
E
AS
总胆固醇
TSTG
评级
60
±20
±30
±120
(TCH
150ºC)
( TA = 25°C )
外形尺寸1 ...... FM20
电气特性
符号
V
( BR ) DSS
I
GSS
I
DSS
V
TH
Re
( YFS )
R
DS ( ON)
西塞
科斯
t
on
t
关闭
2.0
13
20
0.021
2500
1200
180
120
0.028
60
±500
250
4.0
评级
典型值
最大
单位
V
nA
µA
V
S
pF
pF
ns
ns
( TA = 25°C )
单位
V
V
A
A
W
mJ
ºC
ºC
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
DS
= 10V ,我
D
= 250µA
V
DS
= 10V ,我
D
= 15A
V
GS
= 10V ,我
D
= 15A
V
DS
= 25V , F = 1.0MHz的,
V
GS
= 0V
I
D
= 15A ,V
DD
= 30V,
V
GS
= 10V,
参见图2第5页。
40 (TC = 25℃ )
*
38
150
-55到+150
松开,
V
DD
L=
I
L
*
:见= 25V , 1 on50μH , 5 = 30A ,
科幻gure
页面
V
DS
— I
D
特征
30
10V
5.5V
20
20
30
V
GS
— I
D
特征
40
V
DS
= 10V
30
I
D
— R
DS ( ON)
特征
V
GS
=10V
R
DS ( ON)
(mΩ)
0
2
4
T
C
= – 55ºC
25ºC
125ºC
6
8
10
I
D
(A)
I
D
(A)
20
5V
10
V
GS
= 4.5V
0
10
10
0
1
2
3
4
5
0
0
0
10
20
30
V
DS
(V)
V
GS
(V)
I
D
(A)
I
D
• RE
( YFS )
特征
50
T
C
= – 55ºC
25ºC
125ºC
V
DS
= 10V
2
V
GS
— V
DS
特征
40
T
C
— R
DS ( ON)
特征
I
D
= 15A
V
GS
=10V
Re
( YFS )
(S)
10
5
R
DS ( ON)
(mΩ)
30
V
DS
(V)
1
I
D
= 30A
20
1
0.5
0.3
0.05 0.1
0
0.5 1
5 10
50
5
10
10
I
D
= 15A
0
20
–50
0
50
100
150
I
D
(A)
V
GS
(V)
TC ( ℃)
V
DS
- 电容特性
10000
5000
V
GS
= 0V
F = 1MHz的
西塞
20
30
V
SD
— I
DR
特征
200
100
50
安全工作区
I
D
(脉冲)最大
S
I
R
D
LIM
I
D
最大
N)
D
(O
TE
( TC = 25 ° C)
10
0
µ
s
1m
s
钽 - P
D
特征
40
电容(pF)
10
m
s
30
W
(1
s
第i个
1000
500
科斯
10V
5V
V
GS
= 0V
10
5
OP
P
D
(W)
I
DR
(A)
I
D
(A)
DC
ho
t
in
)
ITE
ER
20
at
he
AT
10
CRSS
IO
k
N
10
1
无需散热器
1
5
10
50 100
0
0
50
100
150
100
0
10
20
30
40
50
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8 1.0
1.2 1.4
0.5
0.5
V
DS
(V)
V
SD
(V)
V
DS
(V)
TA (℃ )
21