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    2SK1712 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1712图片预览
    型号： 2SK1712
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： MOSFET [MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 37 K
    品牌： SANKEN [ SANKEN ELECTRIC ]
       
    2SK1712
    绝对最大额定值
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    D（脉冲）
    P
    D
    E
    AS
    总胆固醇
    TSTG
    评级
    60
    ±10
    ±15
    ±60
    （TCH
    150ºC)
    （ TA = 25°C ）
    外形尺寸1 ...... FM20
    电气特性
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    TH
    Re
    （ YFS ）
    R
    DS （ ON）
    1.0
    5.6
    8.4
    0.12
    0.07
    西塞
    科斯
    t
    on
    t
    关闭
    820
    360
    100
    75
    0.14
    0.1
    民
    60
    ±500
    250
    2.0
    评级
    典型值
    最大
    单位
    V
    nA
    µA
    V
    S
    Ω
    Ω
    pF
    pF
    ns
    ns
    （ TA = 25°C ）
    单位
    V
    V
    A
    A
    W
    mJ
    ºC
    ºC
    条件
    I
    D
    = 250μA ，V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    =
    ±10V
    V
    DS
    = 60V, V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 250µA
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 8.0A
    V
    GS
    = 4V,
    I
    D
    = 8.0A
    30 （TC = 25℃ ）
    *
    6.2
    150
    -55到+150
    松开，
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 8.0A
    V
    DS
    = 25V ， F = 1.0MHz的，
    V
    GS
    = 0V
    I
    D
    = 8A ，V
    DD
    = 30V,
    V
    GS
    = 10V,
    参见图2第5页。
    V
    DD
    L=
    I
    L
    *
    ：见= 25V ， 1 on50μH ， 5 = 12A ，
    科幻gure
    页面
    V
    DS
    — I
    D
    特征
    16
    14
    12
    10
    5V
    4.5V
    4V
    14
    12
    10
    3.5V
    16
    V
    GS
    — I
    D
    特征
    0.14
    V
    DS
    = 10V
    0.12
    0.10
    I
    D
    — R
    DS （ ON）
    特征
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    4V
    I
    D
    (A)
    8
    6
    4
    2
    0
    0
    1
    2
    3
    I
    D
    (A)
    0.08
    0.06
    0.04
    0.02
    0
    V
    GS
    =10V
    8
    6
    T
    C
    = – 55ºC
    25ºC
    125ºC
    V
    GS
    = 3V
    4
    2
    4
    5
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    14
    16
    V
    DS
    (V)
    V
    GS
    (V)
    I
    D
    (A)
    I
    D
    • RE
    （ YFS ）
    特征
    20
    10
    T
    C
    = – 55ºC
    25ºC
    125ºC
    V
    DS
    = 10V
    2
    V
    GS
    — V
    DS
    特征
    0.17
    0.15
    T
    C
    — R
    DS （ ON）
    特征
    I
    D
    = 8A
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    Re
    （ YFS ）
    (S)
    5
    0.13
    4V
    0.11
    0.09
    0.07
    0.05
    V
    GS
    =10V
    V
    DS
    (V)
    1
    15A
    1
    I
    D
    = 8A
    0.5
    0.2
    0.03
    0
    0.1
    0.5 1
    5
    10 20
    2
    5
    10
    0.03
    –50
    0
    50
    100
    150
    I
    D
    (A)
    V
    GS
    (V)
    TC （ ℃）
    V
    DS
    - 电容特性
    3000
    V
    GS
    = 0V
    F = 1MHz的
    14
    12
    10
    V
    SD
    — I
    DR
    特征
    100
    50
    安全工作区
    I
    D
    （脉冲）最大
    R
    IM
    I
    D
    最大
    L
    DS
    N)
    (O
    （ TC = 25 ° C）
    10
    0
    µ
    钽 - P
    D
    特征
    30
    电容（pF）
    1000
    500
    西塞
    IT
    ED
    1m
    DC
    O
    s
    s
    W
    第i个
    20
    in
    P
    D
    (W)
    I
    DR
    (A)
    I
    D
    (A)
    科斯
    8
    6
    4
    10V
    10
    5
    ITE
    鳍
    PE
    RA
    he
    4V
    V
    GS
    = 0V
    1
    0.5
    0.3
    0.5 1
    TI
    at
    O
    k
    罪
    N
    10
    100
    50
    30
    0
    10
    20
    30
    CRSS
    2
    40
    50
    0
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8 1.0 1.2
    1.4
    无需散热器
    5
    10
    50 100
    0
    0
    50
    100
    150
    V
    DS
    (V)
    V
    SD
    (V)
    V
    DS
    (V)
    TA （℃ ）
    23

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