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    2SK2207 参数 Datasheet PDF下载

    2SK2207图片预览
    型号： 2SK2207
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： MOSFET [MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 1 页 / 39 K
    品牌： SANKEN [ SANKEN ELECTRIC ]
       
    2SK2207
    绝对最大额定值
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    D（脉冲）
    *
    1
    P
    D
    E
    AS
    *
    2
    I
    AS
    总胆固醇
    TSTG
    评级
    900
    ±30
    ±3
    ±12
    35 （TC = 25℃ ）
    280
    3
    150
    -55到+150
    （ TA = 25°C ）
    外形尺寸1 ...... FM20
    电气特性
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    TH
    Re
    （ YFS ）
    R
    DS （ ON）
    西塞
    科斯
    CRSS
    t
    on
    2.0
    1.0
    3.0
    2.0
    3.8
    630
    120
    52
    55
    165
    5.0
    民
    900
    ±100
    100
    4.0
    评级
    典型值
    最大
    单位
    V
    nA
    µA
    V
    S
    Ω
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    I
    D
    = 1.5A ，V
    DD
    250V,
    R
    L
    = 167Ω, V
    GS
    = 10V,
    参见图2第5页。
    V
    DS
    = 10V ， F = 1.0MHz的，
    V
    GS
    = 0V
    （ TA = 25°C ）
    单位
    V
    V
    A
    A
    W
    mJ
    A
    ºC
    ºC
    条件
    I
    D
    = 100μA ，V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    =
    ±30V
    V
    DS
    = 900V, V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 1毫安
    V
    DS
    = 20V ，我
    D
    = 1.5A
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 1.5A
    占空比
    W
    *
    1: P
    DD
    = 100μs的， L = 60mH ，我
    L
    =1%
    2: V
    50V,
    *
    参见图1第5页上3A ，
    松开，R
    G
    = 50Ω,
    t
    关闭
    V
    DS
    — I
    D
    特征
    3
    V
    GS
    =10V
    6V
    5.5V
    3
    V
    GS
    — I
    D
    特征
    6
    V
    DS
    = 20V
    5
    I
    D
    — R
    DS （ ON）
    特征
    V
    GS
    =10V
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    T
    C
    = – 55ºC
    25ºC
    125ºC
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    2
    2
    4
    3
    2
    1
    0
    I
    D
    (A)
    5V
    1
    4.5V
    4V
    0
    0
    10
    20
    I
    D
    (A)
    1
    0
    0
    1
    2
    3
    V
    DS
    (V)
    V
    GS
    (V)
    I
    D
    (A)
    I
    D
    • RE
    （ YFS ）
    特征
    5
    3
    T
    C
    = – 55ºC
    25ºC
    125ºC
    V
    DS
    = 20V
    20
    V
    GS
    — V
    DS
    特征
    12
    10
    15
    T
    C
    — R
    DS （ ON）
    特征
    I
    D
    = 1.5A
    V
    GS
    =10V
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    Re
    （ YFS ）
    (S)
    I
    D
    = 3A
    8
    6
    4
    2
    V
    DS
    (V)
    1
    10
    I
    D
    = 1.5A
    5
    0.5
    0.2
    0.05 0.1
    0
    0.5
    1
    5
    3
    5
    10
    20
    0
    –50
    0
    50
    100
    150
    I
    D
    (A)
    V
    GS
    (V)
    TC （ ℃）
    V
    DS
    - 电容特性
    5000
    V
    GS
    = 0V
    F = 1MHz的
    3
    V
    SD
    — I
    DR
    特征
    50
    安全工作区
    I
    D
    （脉冲）最大
    10
    （ TC = 25 ° C）
    钽 - P
    D
    特征
    35
    30
    W
    第i个
    电容（pF）
    1000
    500
    西塞
    2
    T
    5我最多
    IMI
    D
    L
    ED
    10
    0
    µ
    s
    I
    D
    (A)
    1
    R
    DS
    (O
    N)
    m
    P
    D
    (W)
    I
    DR
    (A)
    10
    DC
    OP
    1m
    s(
    1s
    ho
    IO
    N
    f
    in
    s
    20
    150
    in
    ITE
    he
    100
    50
    V
    GS
    = 0V
    1
    5V,10V
    科斯
    CRSS
    0.5
    ER
    t)
    s
    at
    AT
    • 15
    in
    10
    100
    0•2
    k
    •
    10
    0.1
    0
    0.03
    0
    50
    •
    50
    A
    鳍
    A F
    in
    •
    2 mm
    散热片
    0
    •
    2
    mm
    mm
    10
    无需散热器
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    3
    5
    10
    50 100
    500 1000
    0
    50
    100
    150
    V
    DS
    (V)
    V
    SD
    (V)
    V
    DS
    (V)
    TA （℃ ）
    24

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