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    2SK2421 参数 Datasheet PDF下载

    2SK2421图片预览
    型号： 2SK2421
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： MOSFET [MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 36 K
    品牌： SANKEN [ SANKEN ELECTRIC ]
       
    2SK2421
    绝对最大额定值
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    D（脉冲）
    *
    1
    P
    D
    E
    AS
    *
    2
    I
    AS
    总胆固醇
    TSTG
    评级
    60
    ±20
    ±40
    ±160
    40 （TC = 25℃ ）
    60
    40
    150
    -55到+150
    （ TA = 25°C ）
    外形尺寸1 ...... FM20
    电气特性
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    TH
    Re
    （ YFS ）
    R
    DS （ ON）
    西塞
    科斯
    t
    on
    t
    关闭
    2.0
    18
    25
    17.5
    2400
    950
    400
    195
    20
    民
    60
    ±100
    100
    4.0
    评级
    典型值
    最大
    单位
    V
    nA
    µA
    V
    S
    mΩ
    pF
    pF
    ns
    ns
    （ TA = 25°C ）
    单位
    V
    V
    A
    A
    W
    mJ
    A
    ºC
    ºC
    条件
    I
    D
    = 100μA ，V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    =
    ±20V
    V
    DS
    = 60V, V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 1毫安
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 20A
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 20A
    V
    DS
    = 25V ， F = 1.0MHz的，
    V
    GS
    = 0V
    I
    D
    = 20A ，V
    DD
    30V,
    R
    L
    = 1.5Ω, V
    GS
    = 10V,
    参见图2第5页。
    占空比1 ％
    W
    *
    1: P
    DD
    = 100μs的， L = 50μH ，我
    L
    = 40A,
    2: V
    20V,
    *
    参见图1第5页。
    松开，R
    G
    = 50Ω,
    V
    DS
    — I
    D
    特征
    40
    10V
    40
    5.5V
    5V
    30
    V
    GS
    — I
    D
    特征
    30
    V
    DS
    = 10V
    I
    D
    — R
    DS （ ON）
    特征
    V
    GS
    =10V
    30
    R
    DS （ ON）
    (mΩ)
    4
    6
    20
    I
    D
    (A)
    I
    D
    (A)
    20
    V
    GS
    = 4.5V
    20
    T
    C
    = – 55ºC
    25ºC
    125ºC
    10
    10
    10
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    0
    0
    2
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    V
    DS
    (V)
    V
    GS
    (V)
    I
    D
    (A)
    I
    D
    • RE
    （ YFS ）
    特征
    50
    V
    DS
    = 10V
    2
    V
    GS
    — V
    DS
    特征
    40
    T
    C
    — R
    DS （ ON）
    特征
    I
    D
    = 20A
    V
    GS
    =10V
    5
    T
    C
    = – 55ºC
    25ºC
    125ºC
    1
    0.5
    V
    DS
    (V)
    10
    R
    DS （ ON）
    (mΩ)
    30
    Re
    （ YFS ）
    (S)
    1
    I
    D
    = 40A
    I
    D
    = 20A
    0
    20
    10
    0.1
    0.5 1
    5
    10
    50
    4
    5
    10
    20
    0
    –50
    0
    50
    100
    150
    I
    D
    (A)
    V
    GS
    (V)
    TC （ ℃）
    V
    DS
    - 电容特性
    7000
    5000
    V
    GS
    = 0V
    F = 1MHz的
    西塞
    40
    V
    SD
    — I
    DR
    特征
    40
    钽 - P
    D
    特征
    电容（pF）
    30
    10V
    30
    W
    第i个
    in
    P
    D
    (W)
    I
    DR
    (A)
    ITE
    鳍
    1000
    500
    科斯
    CRSS
    20
    5V
    20
    he
    at
    罪
    k
    10
    V
    GS
    = 0V
    10
    无需散热器
    100
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    0
    0
    0.5
    1.0
    1.2
    0
    0
    50
    100
    150
    V
    DS
    (V)
    V
    SD
    (V)
    TA （℃ ）
    28

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