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    2SK2779 参数 Datasheet PDF下载

    2SK2779图片预览
    型号： 2SK2779
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： MOSFET [MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
    文件页数/大小： 1 页 / 39 K
    品牌： SANKEN [ SANKEN ELECTRIC ]
       
    2SK2779
    绝对最大额定值
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    D（脉冲）
    *
    1
    P
    D
    E
    AS
    *
    2
    I
    AS
    总胆固醇
    TSTG
    评级
    100
    ±20
    ±20
    ±80
    35 （TC = 25℃ ）
    200
    20
    150
    -55到+150
    （ TA = 25°C ）
    外形尺寸1 ...... FM20
    电气特性
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    TH
    Re
    （ YFS ）
    R
    DS （ ON）
    西塞
    科斯
    CRSS
    t
    D（上）
    ºC
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    SD
    1.0
    12
    20
    60
    75
    1630
    480
    180
    20
    90
    120
    55
    1.0
    1.5
    80
    95
    民
    100
    评级
    典型值
    最大
    ±100
    100
    2.0
    单位
    V
    nA
    µA
    V
    S
    mΩ
    mΩ
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    I
    SD
    = 20A ，V
    GS
    = 0V
    I
    D
    = 10A ，V
    DD
    50V,
    R
    L
    = 5Ω, V
    GS
    = 10V,
    参见图2第5页。
    （ TA = 25°C ）
    单位
    V
    V
    A
    A
    W
    mJ
    A
    ºC
    条件
    I
    D
    = 100μA ，V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    =
    ±20V
    V
    DS
    = 100V, V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 250µA
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 10A
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 10A
    V
    GS
    = 4V,
    I
    D
    = 10A
    V
    DS
    = 10V ， F = 1.0MHz的，
    V
    GS
    = 0V
    占空比1 ％
    W
    *
    1: P
    DD
    = 100μs的， L = 750μH ，我
    L
    = 20A,
    2: V
    25V,
    *
    参见图1第5页。
    松开，R
    G
    = 50Ω,
    V
    DS
    — I
    D
    特征
    20
    10V
    4V
    15
    3.5V
    3V
    15
    20
    V
    GS
    — I
    D
    特征
    80
    V
    DS
    = 10V
    60
    I
    D
    — R
    DS （ ON）
    特征
    V
    GS
    = 4V
    V
    GS
    = 10V
    R
    DS （ ON）
    (mΩ)
    2
    3
    4
    I
    D
    (A)
    I
    D
    (A)
    10
    10
    T
    C
    = –55ºC
    5
    25ºC
    125ºC
    40
    5
    2.5V
    20
    0
    V
    GS
    = 2V
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0
    0
    1
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    V
    DS
    (V)
    V
    GS
    (V)
    I
    D
    (A)
    I
    D
    • RE
    （ YFS ）
    特征
    50
    T
    C
    = –55ºC
    25ºC
    125ºC
    2.5
    V
    DS
    = 10V
    2.0
    V
    GS
    — V
    DS
    特征
    150
    T
    C
    — R
    DS （ ON）
    特征
    I
    D
    = 10A
    R
    DS （ ON）
    (mΩ)
    V
    GS
    = 4V
    100
    V
    GS
    = 10V
    50
    Re
    （ YFS ）
    (S)
    5
    V
    DS
    (V)
    10
    1.5
    I
    D
    = 20A
    1.0
    I
    D
    = 10A
    1
    0.5
    0.05 0.1
    0.5 1
    5
    10 20
    0.5
    0
    2
    5
    10
    20
    0
    –50
    0
    50
    100
    150
    I
    D
    (A)
    V
    GS
    (V)
    TC （ ℃）
    V
    DS
    - 电容特性
    5000
    V
    GS
    = 0V
    F = 1MHz的
    西塞
    1000
    20
    V
    SD
    — I
    DR
    特征
    100
    50
    15
    5V
    10
    安全工作区
    I
    D
    （脉冲）最大
    I
    D
    最大
    （ TC = 25 ° C）
    10
    0
    µ
    s
    钽 - P
    D
    特征
    40
    电容（pF）
    P
    D
    (W)
    I
    DR
    (A)
    R
    DS
    (O
    N)
    M
    LI
    ED
    IT
    DC
    10
    m
    s
    1m
    s
    O
    30
    W
    第i个
    in
    I
    D
    (A)
    5
    500
    科斯
    10
    PE
    RA
    鳍
    TI
    O
    20
    ITE
    N
    he
    at
    罪
    1
    5
    V
    GS
    = 0V
    0.5
    10
    无需散热器
    50
    0
    0
    0.5
    1.0
    1.5
    0.1
    0.5 1
    5
    10
    50 100 200
    0
    0
    50
    k
    100
    50
    0
    10
    20
    30
    CRSS
    40
    100
    150
    V
    DS
    (V)
    V
    SD
    (V)
    V
    DS
    (V)
    TA （℃ ）
    40

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