N沟道MOS FET
FKP253
■特点
ULOW
导通电阻
ULOW
输入电容
•雪崩
能源保障能力
六月
, 2007
■包装---
FM20 ( TO220实型)
■应用
● PDP
主动
高¡
高速开关
●等效
电路
D (2)
G (1)
S (3)
“绝对
最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流
漏电流脉冲
最大功率耗散
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
*
1
P
D
E
AS
*
2
I
AS
T
ch
T
英镑
等级
250
±30
±20A
±80A
40 (TC = 25℃ )
160
20
150
-55
150
单位
V
V
A
A
W
mJ
A
°C
°C
* 1 PW≤100μs ,值班cycle≤1 %
*2 V
DD
= 20V , L = 740μH ,我
Lp
= 20A ,松开,R
G
= 50Ω ,参见图1
SANKEN ELECTRIC CO 。 , LTD 。
http://www.sanken-ele.co.jp/en/
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T02-009EA-070531