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    SDH02 参数 Datasheet PDF下载

    SDH02图片预览
    型号： SDH02
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN达林顿凭借内置的续流二极管 [NPN Darlington With built-in flywheel diode]
    分类和应用： 晶体二极管晶体管功率双极晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 1 页 / 25 K
    品牌： SANKEN [ SANKEN ELECTRIC ]
       
    SDH02
    绝对最大额定值
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    I
    B
    I
    F
    I
    FSM
    V
    R
    P
    T
    T
    j
    T
    英镑
    评级
    120
    100
    6
    1.5
    NPN达林顿
    借助内置的续流二极管
    (T
    a
    =25°C)
    外形尺寸
    E
    •••
    SD
    电气特性
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    首席执行官
    h
    FE
    V
    CE
    （SAT）
    V
    BE
    （SAT）
    t
    on
    t
    英镑
    t
    f
    f
    T
    C
    ob
    100
    2000
    6000
    1.1
    1.7
    0.5
    4.5
    1.2
    50
    20
    12000
    1.3
    2.2
    V
    V
    民
    规范
    典型值
    最大
    10
    3
    单位
    (T
    a
    =25°C)
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    A
    A
    V
    W
    °C
    °C
    条件
    V
    CB
    =120V
    V
    EB
    =6V
    I
    C
    =10mA
    V
    CE
    = 4V ，我
    C
    =1A
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =2mA
    V
    CC
    30V,
    I
    C
    =1A,
    I
    B1
    =–I
    B2
    =2mA
    V
    CE
    = 12V，我
    E
    =–0.1A
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    (T
    a
    =25°C)
    µ
    A
    mA
    V
    2.5 （ PW≤1ms ，D
    u
    ≤10%)
    0.2
    1.5
    2.5 （ PW≤0.5ms ，D
    u
    ≤10%)
    120
    3 (T
    a
    =25°C)
    150
    -40到+150
    µ
    s
    µ
    s
    µ
    s
    兆赫
    pF
    sEquivalent
    电路图
    16 15
    1
    14 13
    12 11
    10 9
    qDiode
    对于反激电压吸收
    符号
    V
    R
    V
    F
    民
    120
    1.6
    10
    100
    规范
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    I
    R
    =10
    µ
    A
    I
    F
    =1A
    条件
    3
    5
    7
    I
    R
    8
    µ
    A
    ns
    V
    R
    =120V
    I
    F
    =±100mA
    R
    1
    R
    2
    4
    2
    R
    1
    ： 2.5kΩ典型ř
    2
    ： 200Ω （典型值）
    6
    t
    rr
    特性曲线
    I
    C
    -V
    CE
    特性（典型值）
    2.5
    I
    B
    =10mA
    4m
    A
    h
    FE
    -I
    C
    特性（典型值）
    10000
    h
    FE
    -I
    C
    温度特性（典型）
    10000
    5000
    C
    5
    °
    12
    °
    C
    75
    C
    T
    °
    25
    C
    0
    °
    –3
    a
    =
    (V
    CE
    =4V)
    典型值
    (V
    CE
    =4V)
    A
    mA
    2m
    1.2
    A
    0.6m
    0.4m
    A
    5000
    2.0
    0.3mA
    I
    C
    (A)
    1.5
    h
    FE
    1000
    h
    FE
    0.1
    0.5
    1
    2.5
    1000
    500
    1.0
    500
    0.5
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    100
    0.03 0.05
    100
    0.03 0.05
    0.1
    0.5
    1
    2.5
    V
    CE
    (V)
    I
    C
    (A)
    I
    C
    (A)
    V
    CE
    （SAT） -I
    C
    温度特性（典型）
    3
    V
    CE
    （SAT） -I
    B
    特性（典型值）
    3
    I
    C
    -V
    BE
    温度特性（典型）
    2.5
    (I
    C
    / I
    B
    =1000)
    (V
    CE
    =4V)
    2.0
    2
    V
    CE
    （ SAT ） （V ）
    V
    CE
    （ SAT ） （V ）
    2
    1.5
    I
    C
    =2A
    I
    C
    =1A
    I
    C
    =0.5A
    I
    C
    (A)
    1.0
    1
    25°C
    –30°C
    1
    Ta=125°C
    75°C
    0.5
    0
    0.2
    0.5
    1
    2.5
    0
    0.1
    0.5
    1
    5
    10
    50
    100
    0
    0
    1
    T
    a
    =
    125
    °
    C
    75
    °
    C
    25
    °
    C
    –30
    °C
    2
    3
    I
    C
    (A)
    I
    B
    （MA ）
    V
    BE
    (V)
    θ
    J- á
    -pw特点
    50
    3
    4
    3
    2
    P
    T
    -T
    a
    特征
    5
    1-1芯片操作
    2-2芯片操作
    3-3芯片操作
    4-4芯片操作
    安全工作区（ SOA ）
    10
    0
    µ
    s
    1m
    s
    2
    1
    m
    10
    θ
    J- á
    （ ° C / W）
    s
    P
    T
    (W)
    10
    1
    5
    1
    0.1
    0.05
    无需散热器
    单脉冲
    T
    a
    =25°C
    1
    1
    5
    10
    50 100
    500 1000
    0
    0
    I
    C
    (A)
    50
    100
    150
    0.5
    0.03
    3
    5
    10
    50
    100
    PW （MS ）
    的Ta （℃）
    V
    CE
    (V)
    166

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