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SI-3050KD 参数 Datasheet PDF下载

SI-3050KD图片预览
型号: SI-3050KD
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内容描述: 表面贴装低消耗电流低压差电压线性稳压器IC [Surface-Mount Low Current Consumption Low Dropout Voltage Linear Regulator ICs]
分类和应用: 线性稳压器IC
文件页数/大小: 3 页 / 65 K
品牌: SANKEN [ SANKEN ELECTRIC ]
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1-1-1线性稳压器IC
SI- 3000KD系列
■特点
表面贴装,低消耗电流,低压差线性稳压器IC
“绝对
最大额定值
参数
直流输入电压
直流输出电流
功耗
结温
储存温度
热阻(结到环境空气中)
热阻(结到管壳)
符号
评级
SI-3012KD/3033KD
17
1.0
3
-30到+125
-30到+125
33.3
3
SI-3010KD/3050KD
35
*1
(T
a
=25°C)
单位
•小型表面贴装封装( TO263-5 )
•输出电流: 1.0A
•低压差电压: V
DIF
0.6V (在我
O
= 1.0A)
•低电路电流消耗: Iq的
350
µ
A
(600
µ
一种用于SI- 3010KD , SI- 3050KD
•低电路电流输出关闭:智商( OFF)
1
µ
A
•内置过流,过热保护电路
•兼容低ESR电容( SI- 3012KD
和SI - 3033KD )
V
IN
I
O
P
D*2
T
j
T
英镑
θ
J- á
θ
J- ç
V
A
W
°C
°C
° C / W
° C / W
* 1 :内置的输入过压保护电路,关断输出电压的输入过压关断电压
的电气特性。
* 2:当安装在为1600mm的玻璃环氧树脂板
2
(覆铜面积100%)。
■应用
•二次稳压电源(本地电源)
ⅵELECTRICAL
特点:1 (低V
O
型与低ESR输出电容器兼容)
评级
(T
a
= 25 ° C,V
C
= 2V ,除非另有规定)
SI-3033KD
单位
马克斯。
*4
参数
输入电压
输出电压
(参考电压为SI- 3012KD )
线路调整
负载调整率
符号
分钟。
V
IN
V
O
(V
ADJ
)
条件
∆V
OLINE
条件
∆V
的Oload
条件
V
DIF
条件
条件
2.4
*3
1.24
SI- 3012KD (变量类型)
典型值。
1.28
V
IN
= 3.3V ,我
O
=10mA
15
V
IN
= 3.3〜 8V ,我
O
= 10毫安(V
O
=2.5V)
40
V
IN
= 3.3V ,我
O
= 0〜 1A (V
O
=2.5V)
0.4
I
O
= 0.5A (V
O
=2.5V)
0.6
I
O
= 1A (V
O
=2.5V)
350
V
IN
= 3.3V ,我
O
= 0A ,V
C
= 2V ,R 2 = 2.4kΩ
1
V
IN
=3.3V, V
C
=0V
±0.3
T
j
= 0 〜100℃ (Ⅴ
O
=2.5V)
55
V
IN
= 3.3V , F = 100〜 120H
Z
, I
O
= 0.1A (V
O
=2.5V)
1.1
V
IN
=3.3V
2
0.8
40
V
C
=2V
–5
0
V
C
=0V
–5
2
1.1
马克斯。
*4
分钟。
*3
典型值。
3.300
V
IN
= 5V ,我
O
=10mA
V
V
mV
mV
1.32
3.234
3.366
15
V
IN
= 5〜 10V,我
O
=10mA
50
V
IN
= 5V ,我
O
= 0〜 1A
0.4
I
O
=0.5A
0.6
I
O
=1A
350
V
IN
= 5V ,我
O
=0A,V
C
=2V
1
V
IN
=5V, V
C
=0V
±0.3
T
j
= 0〜 100℃时
55
V
IN
= 5V , F = 100〜 120H
Z
, I
O
=0.1A
V
IN
=5V
0.8
40
V
C
=2V
0
V
C
=0V
输入输出电压差
V
静态电流电路
电路电流输出关闭
温度COEF网络cient
输出电压
纹波抑制
过电流保护启动
当前
*1
控制电压(输出ON)
*2
控制电压(输出OFF )
V
C
终奌站
控制电流(输出ON)
控制电流(输出OFF )
I
q
条件
I
q
(关闭)
条件
∆V
O
/∆T
a
条件
R
REJ
条件
I
S1
条件
V
C
, IH
V
C
, IL
I
C
, IH
条件
I
C
, IL
条件
µ
A
µ
A
毫伏/°C的
dB
A
V
µ
A
µ
A
*1:
*2:
*3:
*4:
I
S1
在输出电压V下降5%点确定
O
输出电压参数的条件下进行。
输出为OFF输出控制终端时(V
C
终端)是开放的。每个输入电平都与LS - TTL电平。因此,该设备可直接由LS-TTL驱动。
指的是输入输出电压差的参数。
V
IN
( max)和我
O
(最大值)是由相对于P限制
D
= (V
IN
- V
O
)
×
I
O
。请计算这些值指的覆铜面积与功耗数据。
20
ICS