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    SLA5081 参数 Datasheet PDF下载

    SLA5081图片预览
    型号： SLA5081
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道通用 [N-channel General purpose]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 38 K
    品牌： SANKEN [ SANKEN ELECTRIC ]
     浏览型号SLA5081的Datasheet PDF文件第2页  
    SLA5081
    绝对最大额定值
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    D（脉冲）* 1
    E
    AS*2
    P
    T
    FET 1
    150
    ±7
    ±15
    100
    N沟道
    通用
    外形尺寸
    A
    (T
    a
    =25°C)
    •••
    SLA （ 15针）
    评级
    FET 2
    +20, –10
    单位
    V
    V
    A
    A
    mJ
    W
    W
    ° C / W
    ° C / W
    VRMS
    °C
    °C
    5 (T
    a
    = 25 ° C，以经营，无散热片的所有电路）
    47 (T
    c
    = 25 ° C，所有的电路工作，具有无穷散热器）
    θ
    J- á
    θ
    J- ç
    V
    ISO
    总胆固醇
    TSTG
    25 （结航，T
    a
    = 25 ° C，所有的电路工作）
    2.66 （结案件，T
    c
    = 25 ° C，所有的电路工作）
    1000（间翅片及引线脚， AC）的
    150
    -40到+150
    * 1 ： PW
    ≤
    100
    µ
    S，值班
    ≤1%
    *2 : V
    DD
    = 25V ，L = 3.4mH ，我
    D
    = 7A ，松开，R
    G
    = 50Ω ，参照图ê第15页。
    sEquivalent
    电路图
    3
    FET1
    2
    FET2
    7
    8
    10
    FET2
    9
    12
    FET2
    11
    14
    FET2
    13
    1
    15
    引脚4，5， 6：数控
    特性曲线
    I
    D
    -V
    DS
    特性（典型值）
    FET 1
    7
    10V
    3.0V
    2.6V
    I
    D
    -V
    GS
    特性（典型值）
    FET 2
    FET 1
    7
    7
    10V
    4V
    6
    5
    6
    5
    6
    2.8V
    5
    I
    D
    (A)
    I
    D
    (A)
    4
    3
    2
    2.4V
    4
    3
    2.6V
    I
    D
    (A)
    4
    3
    2
    2
    2.2V
    2.4V
    1
    V
    GS
    =2.0V
    V
    GS
    =2.2V
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0
    0
    1
    2
    –40
    °C
    1
    1
    T
    C
    =1
    25
    °
    C
    25
    °C
    3
    4
    V
    DS
    (V)
    V
    DS
    (V)
    V
    GS
    (V)
    R
    DS （ ON）
    -I
    D
    特性（典型值）
    FET 1
    100
    200
    4V
    FET 2
    7
    6
    FET 2
    (V
    DS
    =10V)
    90
    （上）
    (mΩ)
    V
    GS
    =10V
    4V
    150
    （上）
    (mΩ)
    5
    I
    D
    (A)
    80
    V
    GS
    =10V
    4
    3
    2
    125
    °
    C
    25
    °
    C
    100
    R
    DS
    70
    R
    DS
    50
    50
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    I
    D
    (A)
    I
    D
    (A)
    V
    GS
    (V)
    R
    DS （ ON）
    -T
    C
    特性（典型值）
    200
    FET 1
    (I
    D
    =3.5A)
    500
    FET 2
    (I
    D
    =3.5A)
    400
    （上）
    (mΩ)
    （上）
    (mΩ)
    4V
    V
    10
    S
    =
    300
    4V
    100
    V
    G
    V
    G
    S
    =
    V
    10
    R
    DS
    R
    DS
    200
    100
    0
    –40
    0
    50
    100
    150
    0
    –40
    0
    50
    100
    150
    T
    C
    (°C)
    T
    C
    (°C)
    102
    TC =
    1
    –40
    °
    C
    60

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