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    STA509A 参数 Datasheet PDF下载

    STA509A图片预览
    型号： STA509A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： MOS FET阵列 [MOS FET Array]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
    文件页数/大小： 1 页 / 28 K
    品牌： SANKEN [ SANKEN ELECTRIC ]
       
    MOS FET阵列STA509A
    绝对最大额定值
    (Ta=25ºC)
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    D（脉冲）
    *
    1
    P
    T
    评级
    52±5
    ±20
    ±3
    ±6
    单位
    V
    V
    A
    A
    W
    W
    电气特性
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    TH
    Re
    （ YFS ）
    R
    DS （ ON）
    西塞
    科斯
    CRSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    SD
    测试条件
    I
    D
    = 1mA时， V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    =
    ±20V
    V
    DS
    = 40V, V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 250µA
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 1.0A
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 1.0A
    V
    GS
    = 4V ，我
    D
    = 1.0A
    V
    DS
    = 10V
    F = 1.0MHz的
    V
    GS
    = 0V
    I
    D
    = 1A
    V
    DD
    12V
    R
    L
    = 12Ω
    V
    GS
    = 5V
    R
    G1
    = 50Ω, R
    G2
    = 10Ω
    I
    SD
    = 6A ，V
    GS
    = 0V
    民
    47
    评级
    典型值
    52
    最大
    57
    ±1.0
    100
    2.5
    0.25
    0.3
    (Ta=25ºC)
    单位
    外形尺寸
    STA
    25.25
    ±0.2
    4例（Ta = 25℃ ）
    20 （TC = 25℃ ）
    E
    AS
    *
    2
    40
    mJ
    总胆固醇
    ºC
    150
    TSTG
    ºC
    -55到+150
    *1 P
    W
    为100μs ，占空比1 ％
    *2 V
    DD
    = 12V ， L = 10MH ，松开，R
    G
    = 10Ω
    1.0
    1.0
    0.2
    0.25
    200
    120
    20
    2.0
    7.4
    3.3
    4.2
    1.0
    1.5
    V
    µA
    µA
    V
    S
    Ω
    Ω
    pF
    pF
    pF
    µs
    µs
    µs
    µs
    V
    ±0.2
    ±0.2
    9.0
    ±0.2
    b
    a
    11.3
    3.5
    ±0.5
    2.3
    1.0
    ±0.25
    0.5
    ±0.15
    (2.54)
    0
    ±0.3
    0
    ±0.3
    9•2.54=22.86
    ±0.05
    ±0.15
    1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
    S摹摹ð ð ð摹摹ð S
    一）型号
    B）批号
    （单位：毫米）
    s
    I
    D
    —
    V
    DS
    特征
    6
    5
    V
    GS
    =
    5V
    V
    GS
    =
    10V
    V
    GS
    =
    4V
    s
    I
    D
    —
    V
    GS
    特征
    20
    10
    V
    DS
    =
    10V
    s
    R
    DS
    （上） -
    I
    D
    特征
    0.8
    V
    GS
    =
    4V
    Ta
    =
    150ºC
    0.6
    R
    DS
    （上）
    (Ω)
    4
    1
    0.5
    75ºC
    I
    D
    (A)
    I
    D
    (A)
    1.2
    3
    2
    V
    GS
    =
    3V
    0.4
    25ºC
    0.1
    1
    0
    0.01
    Ta
    = –55ºC
    25ºC
    75ºC
    150ºC
    –55ºC
    0.2
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    14
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    4.0
    C1.5
    ±0.5
    ±0.2
    ±0.2
    6
    V
    DS
    (V)
    V
    GS
    (V)
    I
    D
    (A)
    s
    R
    DS
    （上） -
    T
    C
    特征
    0.5
    I
    D
    =
    1A
    s
    R
    E（ YFS ） -
    I
    D
    特征
    10
    V
    DS
    =
    10V
    s
    I
    DR
    —
    V
    SD
    特征
    10
    0.4
    V
    GS
    =
    4V
    典型值。
    5
    8
    R
    DS
    （上）
    (Ω)
    Re
    （ YFS ）
    (S)
    0.2
    V
    GS
    =
    10V
    典型值。
    1
    I
    DR
    (A)
    0.3
    6
    0.1
    0.5
    Ta
    = –55ºC
    25ºC
    150ºC
    4
    Ta
    =
    150ºC
    75ºC
    25ºC
    –55ºC
    2
    0
    –50
    0
    50
    100
    150
    0.2
    0.05 0.1
    0.5
    1
    6
    0
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    1.4
    TC （ ℃）
    I
    D
    (A)
    V
    SD
    (V)
    s
    安全工作区（单脉冲）
    10
    I
    D
    （脉冲）
    最大
    （ TC = 25 ° C）
    10
    0
    µ
    s
    1m
    s
    等效电路图
    5
    (o
    n
    I
    )
    L
    M
    IT
    ED
    R
    D
    S
    s
    m
    10
    I
    D
    (A)
    3
    5
    7
    9
    1
    2
    4
    6
    8
    0.5
    1
    10
    0.1
    0.5
    1
    5
    10
    50
    V
    DS
    (V)
    80

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