IGBT MODULE
GCA75BA60
SanRex
IGBT Module
GCA75BA60
is designed for high speed, high current switching
applications. This Module is electrically isolated and contains two IGBTs connected in
series with a fast switching, soft recovery diode (trr=0.1μs) reverse connected across
each IGBT.
●
I
C
＝75A
UL;E76102 M）
（
94.5MAX
80±0.3
12
3-M5depth12mm
4±0.6
67
V
CES
＝600V
●
V
CE
〔sat〕
＝2.4V
Typ
●
t f
＝0.10μs
Typ
●
Soft recovery diode
（Applications）
Inverter for motor control (VVVF)
UPS, AC servo
DC power supply, Welder
2- 6.5
2
1
23±0.3
23±0.3
3
45
18±0.3
18
4
19
4
17.5
TAB#110 0.5t）
（
fit
31MAX
C2 E1
q
E2
w
u
G2
y
E2
NAME PLATE
e
C1
t
E1
r
G1
Unit：mm
■Maximum
Ratings
Symbol
V
CES
V
GES
Ic
I
CP
−Ic
Pc
Tj
Tstg
V
ISO
Item
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Collector
Current
DC
Pulse（１ms）
Tc＝25℃
Conditions
with gate terminal shorted to emitter
with collector shorted to emitter
（Tj＝25℃ unless otherwise specified）
Ratings
GCA75BA60
600
±20
75
150
75
315
150
−40 to ＋125
A.C.１minute
Recommended Value 2.5-3.9（25-40）
Recommended Value 1.5-2.5（15-25）
Typical Value
2500
4.7（48）
2.7（28）
210
Unit
Reverse Collector Current
Total Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Isolation Voltage（R.M.S.）
Mounting
Torque
Mass
Mounting
Ｍ6）
（
Terminal（Ｍ5）
W
℃
℃
V
N�½�m
（kgf�½�cm）
g
■Electrical
Characteristics
Symbol
I
GES
I
CES
V
（BR）
CES
V
GE
（th）
V
CE
（sat）
Cies
tr
td on）
（
tf
td off）
（
V
ECS
trr
Switching
Time
Item
Gate Leakage Current
Collector Cut-Off Current
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Input Capacitance
Rise Time
Turn-on Delay Time
Fall Time
Turn-off Delay Time
Emitter-Collector Voltage
Reverse Recovery Time
−Ic＝75A，V
GE
＝0V
Ic＝75A，V
GE
＝＋15V/−5V
Vcc＝300V，R
G
＝8Ω
Conditions
V
GE
＝±20V，V
CE
＝0V
V
CE
＝600V，V
GE
＝0V
V
GE
＝0V，Ic＝１mA
V
CE
＝10V，Ic＝7.5mA
Ic＝75A，V
GE
＝15V
V
CE
＝10V，V
GE
＝0V，f＝1MHz
（Tj＝25℃ unless otherwise specified）
Ratings
Min.
Typ.
Max.
±500
1.00
600
3.0
2.40
4.00
0.10
0.20
0.10
0.40
1.80
0.10
−Ic＝75A，V
GE
＝−10V，di
/
dt＝150A/μs
IGBT-Case
Diode-Case
7.00
2.80
7.50
0.20
0.40
0.20
0.80
2.80
0.15
0.40
0.55
V
μs
℃/W
μs
Unit
nA
mA
V
V
V
nF
Rth j-c） Thermal Resistance
（
1
32MAX
4±0.6
V
V
A
A
35.5MAX
17
±
0.6
SANREX [ SANREX CORPORATION ]
