SMG5D60C
１
０
Gate Characteristics
V
FGM
６
（ V）
P
GM
（0.5W）
１０
０
On-State Voltage（MAX）
Tj＝ ５
２℃
Tj＝ ２ ℃
１５
I
FGM
（0.3A）
１
２℃
５
P
G
（ .1W）
（AV）
０
On-State Current A）
（
Gate Voltage
（V）
１
０
０１
.
V
GD
０
（ .1V）
００
.１
００
.１
０１
.
１
１
０
１０
０
１０
００
１
0.5
１
１５
.
２
２５
.
３
３５
.
４
Gate Current mA）
（
On-State Voltage
（V）
１
０
９
Average On-State Current vs Power
Dissipation
（Single phase half wave）
θ１ ０
＝８゜
θ１ ０
＝２゜
θ９ ゜
＝０
θ６ ゜
＝０
θ３ ゜
＝０
１０
３
Average On-State Current vs Ambient
Temperature
（Single phase half wave）
０
π
θ
３０
６゜
2π
Power Dissipation
（W）
８
７
６
５
４
３
２
１
０
０
１
２
３
Ambient Temperature
（℃）
１５
２
１０
２
１５
１
１０
１
１５
０
１０
０
９
５
９
０
０
１
θ３ ゜
＝０
θ Conduction Angle
：
０
π
θ
３０
６゜
2π
θ Conduction Angle
：
θ ６ ゜ θ９ ゜ θ １ ０
＝０
＝０
＝ ２ ゜ θ１ ０
＝８゜
４
５
６
２
３
４
５
６
Average On-State Current
（A）
Average On-State Current
（A）
Transient Thermal Impedance
（℃／W）
１０
０
Surge On-State Current Rating
（Non-Repetitive）
１
０
Maximum Transient Thermal
Impedance Characteristics
Surge On-State Current A）
（
９
０
８
０
７
０
６
０
５
０
４
０
３
０
２
０
１
０
０
１
１
０
１０
０
６ Hz
０
５ Hz
０
１
００
.１
０１
.
１
１
０
１０
０
Time
（Cycles）
Time
（Sec.）
１０
００
I
GT
−Tj
［Change Rate�½
（Typical）
Gate Trigger Voltage
（V）
１
０９
.
０８
.
０７
.
０６
.
０５
.
０４
.
０３
.
０２
.
V
GT
−Tj
（Typical）
I
GT
（t℃）
×100
（％）
I
GT
２ ℃）
（ ５
１０
０
１
０
１
−０
５
−５
２
０
２
５
５
０
７
５
１０
０
１５
２
０１
.
０
−０
５
−５
２
０
２
５
５
０
７
５
１０
０
１５
２
Junction Temp.
（℃）
Junction Temp.
（℃）
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