TMG25CQ60J
１０
０
Gate Characteristics
１０
００
On-State Characteristics MAX）
（
Ｔ= ５
�½�２ ℃
Ｔ= ５ ℃
�½�１ ０
Gate Voltage
（V）
１
０
V
GM
（10V）
P
GM
（5W）
I
GM
（2A）
１
P
G
（0.5W）
（AV）
25℃
1
＋
GT１
1
−
GT１
1
−
GT３
V
GD
0.1V）
（
On-State Peak Current A）
（
１００
００
１０
０
１
０
０１
．
００
．
１
１
０
１０
０
１０
００
1
０５
.
１
１５
.
２
２５
.
３
３.
５
４
Gate Current mA）
（
On-State Voltage
（V）
Power Dissipation
（W）
３
０
２
５
２
０
１
５
１
０
５
０
０
０
θ
π
θ
2π
＝180゜
θ
θ
＝150゜
θ
＝120゜
＝90゜
θ
＝60゜
θ
θ
＝30゜
３０
６゜
θ Conduction Angle
：
Allowable Case Temperature
（℃）
３
５
RMS On-State Current vs
Maximum Power Dissipation
１０
５
１０
４
１０
３
１０
２
RMS On-State vs
Allowable Case Temperature
θ
＝30゜
θ
＝60゜
０
θ
３０
６゜
π
θ
2π
θ
＝90゜
θ
＝120゜
θ
＝150゜
θ
＝180゜
１０
１
１０
０
０
θ Conduction Angle
：
５
１
０
１
５
２
０
２
５
５
１
０
１
５
２
０
２
５
RMS On-State Current
（A）
RMS On-State Current
（A）
Transient Thermal Impedance
（℃/W）
３０
０
Surge On-State Current Rating
（Non-Repetitive）
１
０
Transient Thermal Impedance
Surge On-State Current A）
（
２０
５
２０
０
１０
５
１０
０
５
０
０
１
60H
Z
50H
Z
１
１
０
１0
０
０１
.
００
.１
０１
.
１
１
０
Time
（Cycles）
Time
（Sec.）
I
GT
−Tj
（Typical）
１０
００
１０
００
V
GT
−Tj
（Typical）
I
GT
（t℃）
×100
（％）
I
GT
２ ℃）
（ ５
V
GT
（t℃）
×100
（％）
V
GT
２ ℃）
（ ５
１０
０
I
＋
GT１
!
＋
）
（
I
−
GT１
!
−
）
（
１０
０
V
＋
GT1
（!
＋
）
V
−
GT1
（!
−
）
V
−
GT3
（#
−
）
I
−
GT３
#
−
）
（
１
０
−０
５
−５
２
０
２
５
５
０
７
５
１０
０
１５
２
１０
５
１
０
−０
５
−５
２
０
２
５
５
０
７
５
１０
０
１５
２
１
50
Junction Temp. Tj
（℃）
Junction Temp. Tj
（℃）
SANREX [ SANREX CORPORATION ]
