TMG5C80H
１０
０
Gate Characteristics
１０
０
On-State Characteristics MAX）
（
On-State Peak Current A）
（
５
０
２
０
１
０
５
２
１
０５
．
０２
．
０５
．
１０
．
１５
．
２０
．
２５
．
Ｔ= ５
�½�２ ℃
Ｔ= ２ ℃
�½�１ ５
Gate Voltage
（V）
１
０
V
GM
（10V）
P
GM
（3W）
P
G
（0.3W）
（AV）
１
25℃
1
＋
GT１
1
−
GT１
1
−
GT３
V
GD
0.2V）
（
０１
．
１
０
I
GM
（2A）
１０
０
１０
００
１００
００
３０
．
３５
．
Gate Current mA）
（
On-State Voltage
（V）
Power Dissipation
（W）
６
５
４
３
２
１
０
０
０
θ
π
θ
2π
θ１ ０
＝８゜
θ１ ０
＝５゜
θ１ ０
＝２゜
θ９ ゜
＝０
θ６ ゜
＝０
θ３ ゜
＝０
３０
６゜
θ Conduction Angle
：
Allowable Case Temperature
（℃）
７
RMS On-State Current vs
Maximum Power Dissipation
１５
２
RMS On-State vs
Allowable Case Temperature
１０
２
θ
＝30゜
θ
＝60゜
０
θ
３０
６゜
π
θ
2π
１５
１
θ
＝90゜
θ
＝120゜
θ
＝150゜
θ
＝180゜
１０
１
θ Conduction Angle
：
１
２
３
４
５
６
１５
０
０
１
２
３
４
５
RMS On-State Current
（A）
RMS On-State Current
（A）
Transient Thermal Impedance
（℃/W）
６
０
Surge On-State Current Rating
（Non-Repetitive）
１
０
Transient Thermal Impedance
Surge On-State Current A）
（
５
０
４
０
３
０
５ H
Z
０
６ H
Z
０
２
０
１
０
０
１
２
５
１
０
２
０
５
０
１０
０
１
００
.１
０１
.
１
１
０
１０
０
Time
（Cycles）
Time
（Sec.）
I
GT
−Tj
（Typical）
１０
００
５０
０
２０
０
１０
０
５
０
I
−
GT３
3
−
）
（
I
＋
GT１
1
＋
）
（
I
−
GT１
1
−
）
（
１０
００
５０
０
V
GT
−Tj
（Typical）
I
GT
（t℃）
×100
（％）
I
GT
２ ℃）
（ ５
V
GT
（t℃）
×100
（％）
V
GT
２ ℃）
（ ５
２０
０
V
−
GT３
3
−
）
（
V
＋
GT１
1
＋
）
（
V
−
GT１
1
−
）
（
１０
０
５
０
２
０
１
０
−０
５
２
０
１
０
−０
５
０
５
０
１０
０
１０
５
０
５
０
１０
０
１０
５
Junction Temp. Tj
（℃）
Junction Temp. Tj
（℃）
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