二极管模块
DD160F
UL ; E76102 M)
(
功率二极管模块
DD160F
系列设计用于各种整流电路。
DD160F
具有串联连接在一包2二极管芯片和所述安装基座是elctrically
分离出简单的散热片结构元素。宽电压等级最高,
1,600V是缴费的各种输入电压。
●
隔离安装基座
●
简单的(单相和三相)桥一包两个元素
连接
●
高度可靠的玻璃钝化芯片
●
高浪涌电流能力
(应用程序)
各种整流器,电池充电器,直流马达驱动器
42max
34max
92±0.5
12
26
26
4- (M5)
φ6
60±0.5
48±0.3
24
18
2
M8×14
R8.0
DD
80±0.3
3
2
1
5 2
单位:A
=最大
评级
符号
V
RRM
V
RSM
项
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
评级
DD160F40
400
480
DD160F80
800
960
(Tj=25℃
除非另有规定编)
DD160F120
1200
1300
DD160F160
1600
1700
单位
V
V
符号
I
˚F AV)
(
I
F( RMS )
I
FSM
It
2
项
平均正向电流
均方根正向电流
正向电流浪涌
It
2
条件
单相半波, 180 °
传导,TC : 87 ℃
单相半波, 180 °
传导,TC : 87 ℃
1
周期,
/
2
评级
160
250
5000/5500
125000
2500
−40
to
+125
−40
to
+125
单位
A
A
A
A
2
S
V
℃
℃
50/60H
Z
,峰值,非重复性
用于浪涌电流的一个周期的值
V
ISO
Tj
TSTG
绝缘击穿电压
( R.M.S )
A.C.1minute
结温
储存温度
MOUNTING
力矩
块
MOUNTING
(M5)
终奌站
(M8)
推荐值1.5-2.5 ( 15-25 )
推荐值8.8-10
(90-105)
2.7(28)
510
N�½�m
11(115)
(㎏f�½�B)
g
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
RRM
V
FM
项
重复峰值反向电流,最大。
正向压降,最大。
条件
在V
DRM
单相半波。 TJ = 125 ℃
正向电流500A , TJ = 25 ℃ ,研究所。测量
结到外壳
评级
50
1.42
0.18
单位
mA
V
℃/W
RTH J- C)热阻抗,最大。
(
三社电机
®
50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH ( 516 ) 625-1313传真( 516 ) 625-8845电邮: semi@sanrex.com