二极管模块
DD200HB
UL ; E76102 M）
（
功率二极管模块
DD200HB
系列设计用于各种整流电路。
DD200HB
具有串联连接的两个二极管芯片和所述安装基座被电
分离出简单的散热片结构元素。宽电压等级可达
1,600V可用于各种输入电压。
60±0.5
48±0.3
24
92±0.5
12
26
26
4- （M5）
φ6
●
隔离
固定件基地
●
对于简单的单相和三相包中的两个元素）
（
桥
连接
●
高度可靠的玻璃钝化芯片
●
高浪涌电流能力
（应用程序）
各种整流器， Bettery charagers ，直流电机驱动
DD
18
2
M8×14
R8.0
42max
34max
80±0.3
３
２
１
5 2
单位： ㎜
=最大
评级
符号
V
RRM
V
RSM
符号
I
˚F AV）
（
I
˚F RMS ）
（
I
FSM
I
2
t
Tj
TSTG
V
ISO
项
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
项
平均正向电流
均方根正向电流
正向电流浪涌
I
2
t
工作结温
储存温度
绝缘击穿电压（ R.M.S 。 ）
MOUNTING
力矩
块
MOUNTING
（M5）
终奌站
（M8）
交流1分钟
推荐值1.5-2.5 （ 15-25 ）
推荐值8.8-10
（15-25）
典型的价值
评级
DD200HB120
1200
1350
条件
（Tj＝25℃
除非另有规定编）
DD200HB160
1600
1700
评级
200
310
5000/5500
125000
−40
to
＋150
−40
to
＋125
2500
2.7（28）
510
单位
V
V
单位
A
A
A
A
2
S
℃
℃
V
单相半波， 180 ℃的传导，TC ： 96 ℃
单相半波， 180 ℃的传导，TC ： 96 ℃
1
／
2
周期， 50 / 60H
Z
，峰值，非重复性
用于浪涌电流的一个周期的值
N�½�m
（㎏f�½�B）
11（115）
g
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
RRM
V
FM
项
重复峰值反向电流，最大。
正向压降，最大。
条件
在V
RRM
。单相半波，T
j
＝150℃
正向电流600A ，T
j
＝25℃,
研究所。测量
Junctoin以案例
（每
半模块）
评级
50
1.40
0.18
单位
mA
V
℃/W
RTH J- C）热阻抗，最大。
（
三社电机
®
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