二极管模块
DD(KD)100HB120/160
UL ; E76102 M)
(
功率二极管模块
DD100HB
系列设计用于各种整流电路。
DD100HB
具有串联连接的两个二极管芯片和所述安装基座是elctrically
分离出简单的散热片结构元素。宽电压等级最高,
1,600V是缴费的各种输入电压。
安装底座
●
简单的(单相和三相)桥一包两个元素
连接
●
高度可靠的玻璃钝化芯片
●
高浪涌电流能力
(应用程序)
各种整流器,电池充电器,直流马达驱动器
3
93.5MAX
80
26MAX
3
2
+
–
1
2- 6.5
●
隔离
13
~
16.5
23
23
3M5
30MAX
DD
2
2
3
1
1
KD
21
单位:A
=最大
评级
符号
V
RRM
V
RSM
符号
I
˚F AV)
(
I
F( RMS )
I
FSM
It
2
(Tj=25℃
除非另有规定编)
项
评级
DF100HB120
1200
1350
条件
单相半波, 180 °
传导,TC : 111 ℃
单相半波, 180 °
传导,TC : 111 ℃
1
周期,
/
2
DD100HB160
1600
1700
评级
100
155
1800/2000
16500
−40
to
+150
−40
to
+125
单位
V
V
单位
A
A
A
A
2
S
℃
℃
V
N�½�m
(㎏f�½�B)
g
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
项
平均正向电流
均方根正向电流
正向电流浪涌
It
2
50/60H
Z
,峰值,非重复性
用于浪涌电流的一个周期的值
Tj
TSTG
V
ISO
结温
储存温度
隔离电压
MOUNTING
力矩
块
MOUNTING
(M6)
终奌站
(M5)
A.C.1minute
推荐值2.5-3.9 ( 25-40 )
推荐值1.5-2.5 ( 15-25 )
2500
4.7(48)
2.7(28)
170
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
RRM
V
FM
项
重复峰值反向电流,最大。
正向压降,最大。
条件
在V
DRM
单相半波。 TJ = 150 ℃
FOWARD电流320A , TJ = 25 ℃ ,研究所。测量
结到外壳
评级
30
1.35
0.30
单位
mA
V
℃/W
RTH J- C)热阻抗,最大。
(
三社电机
®
50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH ( 516 ) 625-1313传真( 516 ) 625-8845电邮: semi@sanrex.com