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KD100GB40 参数 Datasheet PDF下载

KD100GB40图片预览
型号: KD100GB40
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内容描述: 二极管模块 [DIODE MODULE]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 2 页 / 452 K
品牌: SANREX [ SANREX CORPORATION ]
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二极管模块
DD(KD)100GB40/80
UL ; E76102 M
功率二极管模块
DD100GB
系列设计用于各种整流电路。
DD100GB
具有串联连接的两个二极管芯片和所述安装基座是elctrically
分离出简单的散热片结构元素。宽电压等级最高, 800V
是缴费关于各种输入电压。
隔离安装基座
简单的(单相和三相)桥一包两个元素
连接
高度可靠的玻璃钝化芯片
高浪涌电流能力
应用
各种整流器,电池充电器,直流马达驱动器
单位
a
最大额定值
符号
V
RRM
V
RSM
符号
I
F
AV
TJ 25
评级
DD100GB40
400
480
条件
单相半波, 180导通,TC 115
单相半波, 180导通,TC 115
1
DD100GB80
800
960
评级
100
155
1800/2000
16500
40
150
40
125
2500
4.7 48)
2.7 28)
170
单位
V
V
单位
A
A
A
A
2
S
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
平均正向电流
均方根正向电流
正向电流浪涌
I
2
t
结温
储存温度
绝缘击穿电压均方根
MOUNTING
力矩
M6安装
终端M5
A.C.1minute
I
F( RMS )
I
FSM
I
2
t
Tj
TSTG
V
ISO
50/60H
Z
,峰值,非重复性
用于浪涌电流的一个周期的值
2
周期,
V
N×M个
f
B
g
推荐值2.5 3.9 25 40
推荐值1.5 2.5 15 25
电气特性
符号
I
RRM
V
FM
RTH J- ç
重复峰值反向电流,最大。
正向压降,最大。
热阻抗,最大。
条件
在V
DRM
单相半波。 TJ 150
FOWARD电流320A TJ 25
结到外壳
研究所。测量
评级
30
1.25
0.30
单位
mA
V
/W
75