晶闸管模块
PK
（ PD ， PE ， KK ）
55HB
UL ; E76102 M）
（
大功率晶闸管/二极管模块
PK55HB
系列设计用于各种整流电路
和电源控制。为您的应用电路。下面的内部连接和宽
电压额定值高达1,600V可用。和电绝缘安装底座化妆
您的机械设计简单。
26MAX
3
93.5MAX
80
2
+
–
1
K2
G2
2- 6.5
●
I
T（ AV ）
55A ，我
T（ RMS ）
86A ，我
TSM
1100A
●
的di / dt
13
150 A / μs的
●
dv / dt的500V / μs的
（应用程序）
各种整流器
交流/直流马达驱动器
加热器控制
调光器
静态开关
内部配置
K2
G2
3
2
16.5
23
23
K1
G1
~
3-M5
A1K2
（K2）
3
2
PK
K2
3
2
2
PE
K2
G2
K1
（A2）中的G1
1
A1K2
（K2）
K1
（A2）中的G1
1
1
（A1）
21
A1K2
（K2）
K1
（A2）
1
30MAX
K1
（A2）中的G1
1
K2
G2
110TAB
PD
KK
单位：
A
=最大
评级
符号
V
RRM
V
RSM
V
DRM
符号
项
*重复
峰值反向电压
*不重复
峰值反向电压
重复峰值断态电压
项
评级
PK55HB120 PD55HB120
PK55HB160 PD55HB160
KK55HB120 PE55HB120
KK55HB160 PE55HB160
1200
1600
1350
1200
条件
单相半波， 180 °
传导，TC ： 85 ℃
单相半波， 180 °
传导，TC ： 85 ℃
1
周期，
／
2
单位
V
V
V
1700
1600
评级
55
86
1000
/
1100
5000
10
3
3
10
5
单位
A
A
A
A
2
S
W
W
A
V
V
A
/
μs
V
℃
℃
N�½��½�
（㎏f�½�B）
g
（
I
牛逼AV）
*平均
通态电流
（
I
牛逼RMS ）
* R.M.S 。
通态电流
I
TSM
I
2
t
P
GM
（AV）
P
G
-Surge
通态电流
＊I
2
t
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值电流
峰值栅极电压（正向）
峰值栅极电压（反向）
通态电流临界上升率
*隔离
击穿电压（均方根）
*工作
结温
*存储
温度
MOUNTING
力矩
块
MOUNTING
（M6）
Terminal（M5）
为50Hz / 60Hz的，峰值，非重复性
用于浪涌电流的一个周期的值
I
FGM
V
FGM
V
RGM
的di / dt
V
ISO
Tj
TSTG
I
G
＝100mA，
Tj＝25℃，
D
＝
1 2
V
DRM
，
G
/dt＝0.1A/μs
V
／
dI
A.C.1minute
150
2500
-40到+125
-40到+125
推荐值2.5-3.9 （ 25-40 ）
推荐值1.5-2.5 （ 15-25 ）
4.7（48）
2.7（28）
170
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
I
GT
／V
GT
V
GD
TGT
dv / dt的
I
H
I
L
项
重复峰值断态电流，最大。
*重复
峰值反向电流，最大。
* PEAK
导通电压，最大
门极触发电流/电压，最大。
非触发门电压。分钟。
开启时间，最大
断态电压，最小的临界上升率。
保持电流，典型值。
Lutching电流，典型值。
条件
在V
DRM
，单相半波， TJ = 125 ℃
在V
DRM
，单相半波， TJ = 125 ℃
通态电流165A ， TJ = 125 ℃研究所。测量
Tj＝25℃，I
T
＝1A，V
D
＝6V
Tj＝125℃，V
D
＝
1 2
V
DRM
／
I
T
＝55A，
G
＝100mA，
I
Tj＝25℃，
D
＝
1 2
V
DRM
，
G
/
dt＝0.1A
/
V
／
dI
μs
TJ = 125 ℃ ，V
D
＝
2 3
V
DRM
，指数波。
／
Tj＝25℃
Tj＝25℃
结到外壳
评级
10
10
1.50
100
/
2
0.25
10
500
50
100
0.50
单位
mA
mA
V
mA
/
V
V
μs
V
/
μs
mA
mA
℃
/
W
RTH J- C） *热阻抗，最大。
（
*标记：晶闸管
和二极管组成部分。无标记：晶闸管组成部分
三社电机50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH （ 516 ） 625-1313传真（ 516 ） 625-8845电邮： semi@sanrex.com
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