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    PWB80A30 参数 Datasheet PDF下载

    PWB80A30图片预览
    型号： PWB80A30
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶闸管模块（非绝缘型） [THYRISTOR MODULE (NON-ISOLATED TYPE)]
    分类和应用： 栅极触发装置可控硅整流器
    文件页数/大小： 2 页 / 392 K
    品牌： SANREX [ SANREX CORPORATION ]
     浏览型号PWB80A30的Datasheet PDF文件第2页  
    晶闸管模块
    非隔离型
    PWB80A
    PWB80A
    是晶闸管模块适合于低电压，3相recifier应用程序。
    I
    T（ AV ）
    80A （每个设备）
    高浪涌电流2500 A（ 60赫兹）
    施工方便
    非隔离。安装底座为共阳极端子
    应用
    焊接电源
    各种直流电源
    单位
    A
    最大额定值
    符号
    V
    RRM
    V
    RSM
    V
    DRM
    符号
    I
    T
    I
    T
    AV
    RMS
    项
    反向重复峰值电压
    非重复性峰值反向电压
    重复峰值断态电压
    项
    平均通态电流
    均方根通态电流
    浪涌通态电流
    I
    2
    t
    栅极峰值功耗
    平均门功耗
    栅极峰值电流
    峰值栅极电压（正向）
    峰值栅极电压（反向）
    通态电流临界上升率
    工作结温
    储存温度
    MOUNTING
    力矩
    块
    M6安装
    终端M5
    评级
    PWB80A30
    300
    360
    300
    条件
    单相半波， 180导通，TC 116
    单相半波， 180导通，TC 116
    1
    2
    周期，
    PWB80A40
    400
    480
    400
    评级
    80
    125
    2280
    /
    2500
    26000
    10
    1
    3
    10
    5
    单位
    V
    V
    V
    单位
    A
    A
    A
    A
    2
    S
    W
    W
    A
    V
    V
    A
    /
    s
    I
    TSM
    I
    2
    t
    P
    GM
    P
    G
    AV
    为50Hz / 60Hz的，峰值，非重复性
    I
    FGM
    V
    FGM
    V
    RGM
    迪DT
    Tj
    TSTG
    I
    G
    200毫安TJ 25
    V
    D
    1
    2
    V
    DRM
    dI
    G
    /
    DT 1A
    /
    s
    30
    30
    50
    150
    125
    推荐值2.5 3.9 25 40
    推荐值1.5 2.5 15 25
    4.7 48
    2.7 28
    170
    N
    f
    B
    g
    电气特性
    符号
    I
    DRM
    I
    RRM
    V
    TM
    I
    GT
    V
    GT
    V
    GD
    TGT
    DT的dV
    I
    H
    RTH J- ç
    项
    重复峰值断态电流，最大。
    重复峰值反向电流，最大。
    峰值通态电压，最大
    门极触发电流/电压，最大。
    非触发门电压。分钟。
    开启时间，最大
    断态电压，最小的临界上升率。
    保持电流，典型值。
    热阻抗，最大。
    条件
    在V
    DRM
    ，单相半波， TJ 150
    在V
    DRM
    ，单相半波， TJ 150
    通态电流240A ， TJ 25
    TJ 25
    TJ 150
    I
    T
    1A V
    D
    6V
    V
    D
    1
    2
    V
    DRM
    评级
    12
    12
    1.20
    150
    /
    2
    0.25
    单位
    mA
    mA
    V
    mA
    /
    V
    V
    s
    V
    /
    s
    mA
    /
    W
    研究所。测量
    I
    T
    我80A
    G
    200毫安TJ 25
    TJ 150 ，V
    D
    TJ 25
    结到外壳
    1
    dI
    G
    /
    DT 1A
    /
    s
    2
    V
    DRM
    ，指数波。
    3
    V
    D
    2
    V
    DRM
    3
    模块
    1
    10
    50
    100
    0.35
    55

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