SMG5C60C
１
０
GATE特性
V
FGM
６
（ V）
P
GM
５
（ W）
１０
０
导通状态电压最大
Ｔ= ５
�½���� ℃
Ｔ= ２ ℃
�½�１ ５
P
G
（ . W）
（AV）
０
５
I
FGM
２
（ A）
１
２℃
５
通态电流A）
（
１００
００
栅极电压
（V）
１
０
V
GD
０２
（ . V）
０１
.
１
１
０
１０
０
１０
００
１
０５
.
１
１５
.
２
２５
.
３
栅电流mA ）
（
通态电压
（V）
８
７
通态平均电流与电源
耗散
（单相半波）
θ１ ０
＝８゜
θ１ ０
＝２゜
θ９ ゜
＝０
θ６ ゜
＝０
θ３ ゜
＝０
１０
３
通态平均电流与环境
温度
（单相半波）
０
π
θ
３０
６゜
2π
６
５
４
３
２
１
０
０
１
２
３
环境温度
（℃）
１５
２
１０
２
１５
１
１０
１
１５
０
１０
０
θ３ ゜
＝０
功耗
（W）
=导通角
：
０
π
θ
３０
６゜
2π
θ ６ ゜ θ９ ゜ θ １ ０
＝０
＝０
＝ ２ ゜ θ１ ０
＝８゜
=导通角
：
９
５
９
０
０
１
２
３
４
５
６
４
５
６
平均通态电流
（A）
平均通态电流
（A）
１０
０
瞬态热阻抗
（℃／W）
浪涌通态电流额定值
（不重复）
１
０
最大瞬态热
阻抗特性
浪涌通态电流A ）
（
９
０
８
０
７
０
６
０
５
０
４
０
３
０
２
０
１
０
０
１
１
０
１０
０
6赫兹
０
5赫兹
０
１
００
.１
０１
.
１
１
０
１０
０
时间
（周期）
时间
（秒）。
１０
００
I
GT
-Tj
［Change Rate�½
（典型值）
门极触发电压
（V）
−５
２
０
２
５
５
０
７
５
１０
０
１５
２
１
０９
.
０８
.
０７
.
０６
.
０５
.
０４
.
０３
.
０２
.
V
GT
-Tj
（典型值）
I
GT
（t℃）
×100
（％）
I
GT
２ ℃）
（ ５
１０
０
１
０
−０
５
０１
.
０
−０
５
−５
２
０
２
５
５
０
７
５
１０
０
１５
２
结温。
（℃）
结温。
（℃）
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