TMG10D80F
10
0
GATE特性
20
0
10
0
对国家特性MAX )
(
通态峰值电流A)
(
5
0
2
0
1
0
5
2
1
05
.
02
.
05
.
10
.
15
.
20
.
25
.
T= 5
�½�2 ℃
T= 2 ℃
�½�1 5
栅极电压
(V)
1
0
V
GM
(10V)
P
GM
(5W)
P
G
(0.5W)
(AV)
1
25℃
1
+
GT1
1
−
GT1
1
−
GT1
V
GD
0.2V)
(
01
.
1
0
I
GM
(2A)
10
0
10
00
100
00
30
.
35
.
栅电流mA )
(
通态电压
(V)
功耗
(W)
1
2
1
0
8
6
4
2
0
0
1
0
θ
π
θ
2π
θ1 0
=8゜
θ1 0
=5゜
θ1 0
=2゜
θ9 ゜
=0
θ6 ゜
=0
θ3 ゜
=0
30
6゜
=导通角
:
允许外壳温度
(℃)
1
4
RMS通态电流与
最大功率耗散
15
2
15
1
15
0
9
5
RMS通态VS
允许外壳温度
θ
=30゜
θ
=60゜
π
θ
30
6゜
θ
2π
θ
=90゜
θ
=120゜
θ
=150゜
θ
=180゜
0
8
5
7
5
0
=导通角
:
2
3
4
5
6
7
8
9
1 1
0 1
2
4
6
8
1
0
RMS通态电流
(A)
RMS通态电流
(A)
瞬态热阻抗
(℃/W)
10
2
浪涌通态电流额定值
(不重复)
1
0
瞬态热阻抗
浪涌通态电流A )
(
10
0
8
0
6
0
5 H
Z
0
6 H
Z
0
1
4
0
2
0
0
1
2
5
1
0
2
0
5
0
10
0
01
.
00
.1
01
.
1
1
0
10
0
时间
(周期)
时间
(秒)。
10
00
50
0
20
0
10
0
5
0
I
GT
-Tj
(典型值)
10
00
50
0
20
0
10
0
5
0
2
0
V
GT
-Tj
(典型值)
I
GT
(t℃)
×100
(%)
I
GT
2 ℃)
( 5
V
GT
(t℃)
×100
(%)
V
GT
2 ℃)
( 5
V
+
GT1
1
+
)
(
V
−
GT1
1
−
)
(
V
−
GT1
3
−
)
(
I
+
GT1
1
+
)
(
I
−
GT
1
(
1
)
−
I
−
GT1
3
−
)
(
2
0
1
0
−0
5
0
5
0
10
0
10
5
1
0
−0
5
0
5
0
10
0
10
5
结温。 TJ
(℃)
结温。 TJ
(℃)
三社电机50海景大道。纽约州华盛顿港11050 PH ( 516 ) 625-1313 FX ( 516 ) 625-8845电邮: semi@sanrex.com