TRIAC （非绝缘型）
TMG12C60
TMG12C60
适用于宽范围的应用的非隔离三端双向可控硅
像复印机，微波炉，固态开关，电机控制，光及
加热器控制。
12A
浪涌能力130A
●
非隔离型
●
高
●
I
牛逼RMS ）
（
F
D
H
A
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
民
5.58
8.38
4.40
1.15
0.35
9.66
―
―
0.75
1.14
―
12.70
14.48
MILLIMETERS
典型值
6.40
8.60
4.50
1.27
0.45
10.10
16.25
3.83
0.85
1.27
2.54
13.50
15.00
最大
7.49
8.90
4.70
1.39
0.60
10.28
―
―
0.95
1.40
―
14.27
15.87
M
G
T1
G
L
J
K
1
2
I
3
E
C
１T
．
１
2．
T
２
3门
．
B
＊
T2
单位：
A
=最大
评级
符号
V
DRM
符号
I
牛逼RMS ）
（
I
TSM
I
2
t
P
GM
（AV）
P
G
（Tj=25℃
除非另有规定编）
项
重复峰值断态电压
项
均方根通态电流
浪涌通态电流
I
2
t
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值电流
峰值栅极电压
工作结温
储存温度
块
Tc＝100℃
评级
TMG12C60
600
条件
一个周期，50赫兹/ 60赫兹，峰值，非重复性
1ms∼10ms
评级
12
119
/
130
71
5
0.5
2
10
−40
to
＋125
−40
to
＋125
2
单位
V
单位
A
A
A
2
S
W
W
A
V
℃
℃
g
I
GM
V
GM
Tj
TSTG
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
DRM
V
TM
＋
I
GT1
I
GT1
I
GT3
−
I
GT3
＋
−
项
Reptitive峰值断态电流
峰值通态电压
1
2
3
4
1
2
3
4
非触发栅极电压
兴起关闭状态的爆击率
电压整流
条件
V
D
=V
DRM
，单相半波， TJ = 125 ℃
I
T
＝20A,
研究所。测量
评级
分钟。
典型值。马克斯。
2
1.4
30
30
―
30
1.5
1.5
―
1.5
0.2
10
20
单位
mA
V
门极触发电流
V
D
＝6V，R
L
＝10Ω
mA
V
GT1
V
GT1
V
GT3
−
V
GT3
＋
−
＋
门极触发电压
V
D
＝6V，R
L
＝10Ω
V
V
GD
DV =
/
DT ？
c
I
H
Tj＝125℃，V
D
＝
1 2
V
DRM
／
Tj＝125℃，
/
DT ？
-dI
c＝−6A
/
毫秒，V
D
＝
2 3
V
DRM
／
结到外壳
V
V
/
μs
mA
1.8
℃
/
W
保持电流
RTH J- C）热阻抗
（
三社电机
®
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