TMG3D80C
１
０
GATE特性
V
GM
（7V）
P
GM
（1.5W）
１０
０
对国家特性MAX ）
（
Ｔ= ５
�½�２ ℃
Ｔ= ２ ℃
�½�１ ５
通态电流A）
（
栅极电压
（V）
１
０
P
G
（0.1W）
（AV）
25℃
1
＋
GT1
1
−
GT1
1
−
GT1
I
GM
（1A）
１
25℃
1
＋
GT1
１
V
GD
0.2V）
（
０１
．
１
１
０
１０
０
１０
００
０１
.
０
０５
.
１
１５
.
２
２５
.
３
３.
５
栅电流mA ）
（
通态电压
（V）
３.
５
功耗
（W）
０
π
θ
2π
θ１ ０
＝８゜
θ１ ０
＝５゜
θ１ ０
＝２゜
θ９ ゜
＝０
θ６ ゜
＝０
θ３ ゜
＝０
３
２５
.
２
１５
.
１
０５
.
θ
３０
６゜
=导通角
：
允许外壳温度
（℃）
４
RMS通态电流与
最大功率耗散
１５
２
RMS通态VS
允许外壳温度
１０
２
θ
＝30゜
θ
＝60゜
θ
＝90゜
θ
＝120゜
θ
＝150゜
θ
＝180゜
１５
１
０
θ
３０
６゜
π
θ
2π
１０
１
=导通角
：
０
０
０５
.
１
１５
.
２
２５
.
３
１５
０
０
０５
.
1
１５
.
２
２５
.
３
RMS通态电流A ）
（
RMS通态电流
（A）
３
５
瞬态热阻抗
（℃/W）
浪涌通态电流额定值
（不重复）
１０
０
瞬态热阻抗
RTH
第（j-一）
浪涌通态电流A ）
（
３
０
２
５
２
０
６ H
Z
０
１
０
RTH
（J -C ）
１
５
５ H
Z
０
１
０
５
０
１
１
０
１０
０
１
００
.１
０１
.
１
１
０
１０
０
１０ １００ １００
００ ００ ０００
时间
（周期）
时间
（秒）。
１０
００
I
GT
-Tj
（典型值）
１０
００
V
GT
-Tj
（典型值）
I
GT
（t℃）
×100
（％）
I
GT
２ ℃）
（ ５
V
GT
（t℃）
×100
（％）
V
GT
２ ℃）
（ ５
１０
０
I
＋
GT1
!
＋
）
（
I
−
GT1
!
−
）
（
−
I
GT3
（#
−
）
１０
０
V
＋
GT1
（!
＋
）
V
−
GT1
（!
−
）
V
＋
GT3
（#
＋
）
V
−
GT3
（#
−
）
I
＋
GT1
#
＋
）
（
１
０
−０
５
−５
２
０
２
５
５
０
７
５
１０
０
１５
２
１０
５
１
０
−０
５
−５
２
０
２
５
５
０
７
５
１０
０
１５
２
１０
５
结Temp.Tj
（℃）
结温
（℃）
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