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    TMG8C60F 参数 Datasheet PDF下载

    TMG8C60F图片预览
    型号： TMG8C60F
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 隔离模三端双向可控硅适用于广泛的应用领域 [Isolated Mold Triac Suitable for wide range of Applications]
    分类和应用： 触发装置可控硅三端双向交流开关
    文件页数/大小： 2 页 / 118 K
    品牌： SANREX [ SANREX CORPORATION ]
     浏览型号TMG8C60F的Datasheet PDF文件第2页  
    TRIAC
    （绝缘型）
    TMG8C60F
    UL ; E76102 M）
    （
    TMG8C40/60F
    适用于广泛的应用程序一样被隔离模三端双向可控硅
    复印机，微波炉，固态开关，电机控制，灯，加热器和控制。
    8A
    ●
    高浪涌能力88A
    ●
    全成型绝缘型
    ●
    I
    牛逼RMS ）
    （
    ３．± ．
    ０ ０3
    １ ．± ．
    ００ ０３
    ４５ ０２
    ．± ．
    ２８ ０２
    ．± ．
    １ ．± ．
    ５０ ０３
    ３．± ． ８５ ０３
    ６ ０３ ．± ．
    ２６ ０２
    ．± ．
    ０７ ± ．
    ． ０１
    ５
    ５
    浸焊
    T1
    G
    １ ．± ．
    ４０ ０５
    ０７ ± ．
    ． ０１
    ５
    ５
    １ ２ ３ ２５ ± ．
    ． ０２
    ４
    ５
    ５０ ± ．
    ． ０５
    ８
    １T
    ．
    １
    2．
    T
    ２
    3门
    ．
    T2
    单位：
    A
    =最大
    评级
    符号
    V
    DRM
    符号
    I
    牛逼RMS ）
    （
    I
    TSM
    I
    2
    t
    P
    GM
    （AV）
    P
    G
    （Tj=25℃
    除非另有规定编）
    项
    重复峰值断态电压
    项
    均方根通态电流
    浪涌通态电流
    I
    2
    t
    栅极峰值功耗
    平均门功耗
    栅极峰值电流
    峰值栅极电压
    绝缘击穿电压（ R.M.S 。 ）
    工作结温
    储存温度
    块
    Tc＝89℃
    评级
    TMG8C40F
    400
    条件
    一个周期，50赫兹/ 60赫兹，峰值，非重复性
    TMG8C60F
    600
    评级
    8
    80
    /
    88
    32
    5
    0.5
    2
    10
    A.C.1分钟
    1500
    -40到+125
    -40到+125
    2
    单位
    V
    单位
    A
    A
    A
    2
    S
    W
    W
    A
    V
    V
    ℃
    ℃
    g
    I
    GM
    V
    GM
    V
    ISO
    Tj
    TSTG
    ⅵELECTRICAL
    特征
    符号
    I
    DRM
    V
    TM
    ＋
    I
    GT1
    −
    I
    GT1
    ＋
    I
    GT3
    −
    I
    GT3
    ＋
    V
    GT1
    项
    Reptitive峰值断态电流
    峰值通态电压
    1
    2
    3
    4
    1
    2
    3
    4
    非触发栅极电压
    兴起关闭状态的爆击率
    电压整流
    条件
    V
    D
    =V
    DRM
    ，单相半波， TJ = 125 ℃
    I
    T
    ＝12A,
    研究所。测量
    评级
    分钟。
    典型值。马克斯。
    2
    1.4
    30
    30
    ―
    30
    1.5
    1.5
    ―
    1.5
    0.2
    10
    15
    单位
    mA
    V
    门极触发电流
    V
    D
    ＝6V，R
    L
    ＝10Ω
    mA
    V
    GT1
    V
    GT3
    −
    V
    GT3
    ＋
    −
    门极触发电压
    V
    D
    ＝6V，R
    L
    ＝10Ω
    V
    V
    GD
    DV =
    /
    DT ？
    c
    I
    H
    Tj＝125℃，V
    D
    ＝
    1 2
    V
    DRM
    ／
    Tj＝125℃，
    /
    DT ？
    -dI
    c＝−4A
    /
    毫秒，V
    D
    ＝
    2 3
    V
    DRM
    ／
    结到外壳
    V
    V
    /
    μs
    mA
    3.7
    ℃
    /
    W
    保持电流
    RTH J- C）热阻抗
    （
    3

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