12A01M
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Parameter
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
Cob
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
Conditions
VCB=--10V, f=1MHz
IC=-
-200mA, IB=-
-10mA
IC=-
-200mA, IB=-
-10mA
IC=-
-10µA, IE=0
IC=-
-1mA, RBE=∞
IE=--10µA, IC=0
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
--15
--12
--5
30
57
30
Ratings
min
typ
4
--150
--0.9
--300
--1.2
max
Unit
pF
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
Switching Time Test Circuit
PW=20µs
D.C.≤1%
INPUT
IB1
OUTPUT
IB2
VR
50Ω
RB
RL
+
470µF
VCC= --5V
+
220µF
VBE=5V
IC=20IB1= --20IB2= --400mA
A
--200
--180
IC -- VCE
--1.0m
--0.9m
A
m
--0.8
A
--0.7mA
--600
IC -- VBE
VCE= --2V
--0.6mA
Collector Current, IC -- mA
Collector Current, IC -- mA
--160
--140
--120
--100
--80
--60
--0.5mA
--0.4mA
--0.3mA
--0.2mA
--500
--400
--300
--0.1mA
--40
--20
0
0
--100
IB=0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
IT05201
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
IT05202
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
1000
hFE -- IC
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
--1000
7
VCE(sat) -- IC
Ta=
75
°
C
25
°
C
--25
°
C
--200
7
5
Collector-to-Emitter
Saturation Voltage, VCE(sat) -- mV
Ta=75
°
C
25
°C
VCE= --2V
IC / IB=20
5
3
2
DC Current Gain, hFE
--25°C
3
--100
7
5
3
2
2
2
5
°
C
C
5
°
=7
Ta
C
5
°
--2
100
7
--1.0
2
3
5 7 --10
2
3
5 7 --100
2
3
Collector Current, IC -- mA
5 7--1000
IT05203
--10
--1.0
2
3
5 7 --10
2
3
5 7 --100
2
3
Collector Current, IC -- mA
5 7--1000
IT05204
No.7478-2/4
SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
