12A02CH
Electrical Characteristics
at Ta=25°C
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
Conditions
VCB= --12V, IE=0A
VEB= --4V, IC=0A
VCE= --2V, IC= --10mA
VCE= --2V, IC= --50mA
VCB= --10V, f=1MHz
IC= --400mA, IB= --20mA
IC= --400mA, IB= --20mA
IC= --10μA, IE=0A
IC= --1mA, RBE=∞
IE= --10μA, IC=0A
See specified Test Circuit.
--15
--12
--5
30
75
15
300
450
6
-
-120
--0.9
-
-240
--1.2
Ratings
min
typ
max
--100
-
-100
700
MHz
pF
mV
mV
V
V
V
ns
ns
ns
Unit
nA
nA
Switching Time Test Circuit
PW=20μs
D.C.≤1%
INPUT
IB1
OUTPUT
IB2
VR
50Ω
RB
RL
+
470μF
VCC= --5V
+
220μF
VBE=5V
IC=20IB1= --20IB2= --400mA
Ordering Information
Device
12A02CH-TL-E
Package
CPH3
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free
--1000
IC -- VCE
--20
mA
--30
mA
A
10mA
5m
--
--1
--1200
IC -- VBE
VCE= --2V
--900
--7mA
--1000
Collector Current, IC -- mA
--5mA
--3mA
--700
--600
--500
--400
--300
--200
--100
0
0
Collector Current, IC -- mA
--800
--800
--1mA
--0.5mA
--400
--200
IB=0
--100 --200 --300 --400 --500 --600 --700 --800 --900 --1000
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
IT05095
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- mV
IT05094
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Ta=
75
°
C
2
5
°
C
--25
°
C
--2mA
--600
No.7482-2/6
SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
