2SA2016 / 2SC5569
Continued from preceding page.
Parameter
Collector Current
Collector Current (Pulse)
Base Current
Collector Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
IC
ICP
IB
PC
Tj
Tstg
When mounted on ceramic substrate (250mm
×0.8mm)
Tc=25°C
2
Conditions
Ratings
(--)7
(--)10
(-
-)1.2
1.3
3.5
150
--55 to +150
Unit
A
A
A
W
W
°C
°C
Electrical Characteristics
at Ta=25°C
Parameter
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
Symbol
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CES
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
Conditions
VCB=(--)40V, IE=0A
VEB=(--)4V, IC=0A
VCE=(--)2V, IC=(--)500mA
VCE=(--)10V, IC=(--)500mA
VCB=(--)10V, f=1MHz
IC=(--)3.5A, IB=(--)175mA
IC=(--)2A, IB=(--)40mA
IC=(--)2A, IB=(--)40mA
IC=(--)10μA, IE=0A
IC=(--)100μA, RBE=0Ω
IC=(--)1mA, RBE=∞
IE=(--)10μA, IC=0A
See specified Test Circuit.
(--50)100
(-
-50)100
(--)50
(--)6
(40)30
(225)420
25
200
(290)330
(50)28
(--230)160
(--240)110
(--)0.83
(--390)240
(--400)170
(--)1.2
Ratings
min
typ
max
(--)0.1
(-
-)0.1
560
MHz
pF
mV
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
Unit
μA
μA
Switching Time Test Circuit
PW=20μs
D.C.≤1%
INPUT
IB1
OUTPUT
IB2
VR
50Ω
+
100μF
VBE= --5V
+
470μF
VCC=25V
RB
RL
IC=20IB1= --20IB2=2.5A
For PNP, the polarity is reversed.
Ordering Information
Device
2SA2016-TD-E
2SC5569-TD-E
Package
PCP
PCP
Shipping
1,000pcs./reel
1,000pcs./reel
memo
Pb Free
No.6309-2/8
SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
